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硅中位错与蚀斑的对应关系

洪晶 王贵华 刘振茂 叶以正

硅中位错与蚀斑的对应关系

洪晶, 王贵华, 刘振茂, 叶以正
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出版历程
  • 收稿日期:  1963-10-30
  • 修回日期:  1964-03-20
  • 刊出日期:  2005-08-05

硅中位错与蚀斑的对应关系

摘要: 通过实验肯定了硅单晶的化学侵蚀定向方法,找出抛光液的最佳配比及抛光时间。确定了所选定的位错侵蚀剂的侵蚀规范;此侵蚀剂对晶面无选择性,能显示出刃型和螺型位错,以及“新”、“旧”位错。通过长时间侵蚀、逐层侵蚀、劈裂面蚀斑的对应、小角晶界上蚀斑的观察、形变硅单晶中蚀斑排列以及弯曲形变样品中蚀斑密度与曲率半径间的关系的研究等方法,证明了用此侵蚀剂所得的蚀斑确实与位错一一对应。

English Abstract

参考文献 (1)

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