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铟锡氧化物薄膜表面等离子体损耗降低的研究

蔡昕旸 王新伟 张玉苹 王登魁 方铉 房丹 王晓华 魏志鹏

铟锡氧化物薄膜表面等离子体损耗降低的研究

蔡昕旸, 王新伟, 张玉苹, 王登魁, 方铉, 房丹, 王晓华, 魏志鹏
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  • 本文采用直流磁控溅射方法在普通浮法玻璃基底上制备了立方多晶铁锰矿结构的铟锡氧化物(indium tin oxide,ITO)薄膜,并对其进行了结晶性、表面粗糙度、紫外-可见吸收光谱、折射率、介电常数及霍尔效应的测试.研究了溅射时基底温度的改变对于ITO薄膜的光电、表面等离子体性质的影响.随着基底温度由100℃升高至500℃,其光学带隙(3.643.97 eV)展宽,减少了电子带间跃迁的概率,有效降低了ITO薄膜的光学损耗.与此同时,对应ITO薄膜的载流子浓度(4.110202.481021 cm-3)与迁移率(24.632.2 cm2V-1s-1)得到提高,电学损耗明显降低.
      通信作者: 王新伟, wxw4122@cust.edu.cn;fangdan19822011@163.com ; 房丹, wxw4122@cust.edu.cn;fangdan19822011@163.com
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:61404009,61504012)、吉林省科技发展计划(批准号:20170520118JH)和长春理工大学创新基金(批准号:XJJLG-2016-11)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2018-04-24
  • 修回日期:  2018-06-11
  • 刊出日期:  2019-09-20

铟锡氧化物薄膜表面等离子体损耗降低的研究

    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:61404009,61504012)、吉林省科技发展计划(批准号:20170520118JH)和长春理工大学创新基金(批准号:XJJLG-2016-11)资助的课题.

摘要: 本文采用直流磁控溅射方法在普通浮法玻璃基底上制备了立方多晶铁锰矿结构的铟锡氧化物(indium tin oxide,ITO)薄膜,并对其进行了结晶性、表面粗糙度、紫外-可见吸收光谱、折射率、介电常数及霍尔效应的测试.研究了溅射时基底温度的改变对于ITO薄膜的光电、表面等离子体性质的影响.随着基底温度由100℃升高至500℃,其光学带隙(3.643.97 eV)展宽,减少了电子带间跃迁的概率,有效降低了ITO薄膜的光学损耗.与此同时,对应ITO薄膜的载流子浓度(4.110202.481021 cm-3)与迁移率(24.632.2 cm2V-1s-1)得到提高,电学损耗明显降低.

English Abstract

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