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薄栅氧化层经时击穿的参数表征研究

刘红侠 郝 跃

薄栅氧化层经时击穿的参数表征研究

刘红侠, 郝 跃
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出版历程
  • 收稿日期:  1999-10-25
  • 修回日期:  1999-11-20
  • 刊出日期:  2000-06-20

薄栅氧化层经时击穿的参数表征研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071
    基金项目: 

    军事电子预研基金(批准号:G9825741)资助的课题.

摘要: 在恒压应力条件下测试了薄栅氧化层的击穿特性,研究了TDDB的击穿机理,讨论了栅氧化层面积对击穿特性的影响.对击穿电荷QBD进行了实验测试和分析,结果表明:击穿电荷QBD不是常数,它依赖栅氧化层面积和栅电压.对相关系数进行了拟合,给出了QBD的解析表达式.

English Abstract

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