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SiC Schottky结反向特性的研究

尚也淳 刘忠立 王姝睿

SiC Schottky结反向特性的研究

尚也淳, 刘忠立, 王姝睿
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-11-27
  • 修回日期:  2002-02-02
  • 刊出日期:  2005-04-03

SiC Schottky结反向特性的研究

  • 1. 中国科学院半导体研究所微电子研究与发展中心,北京 100083

摘要: 对Ti/6H-SiC Schottky结的反向特性进行了测试和理论分析,提出了一种综合的包括SiC Schottky结主要反向漏电流产生机理的反向隧穿电流模型,该模型考虑了Schottky势垒不均匀性、Ti/SiC界面层电压降和镜像力对SiC Schottky结反向特性的影响,模拟结果和测量值的相符说明了以上所考虑因素是引起SiC Schottky结反向漏电流高于常规计算值的主要原因.分析结果表明在一般工作条件下SiC Schottky结的反向特性主要是由场发射和热电子场发射电流决定的.

English Abstract

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