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双层锰氧化物薄膜的制备及其物理性质

茶丽梅 张鹏翔 H.U.Habermeier

双层锰氧化物薄膜的制备及其物理性质

茶丽梅, 张鹏翔, H.U.Habermeier
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-05-13
  • 修回日期:  2002-07-15
  • 刊出日期:  2003-01-05

双层锰氧化物薄膜的制备及其物理性质

  • 1. 昆明理工大学光电子材料研究所,昆明 650051;Max-plank-Institute,FKF,Stuttgart,Germany
    基金项目: 

    云南省科研基金(批准号:1999E0003Z)资助的课题.

摘要: 用脉冲激光沉积(PLD)方法成功地制备了双层钙钛矿结构的La2-2xSr1+2xMn2O7(x=032)单相薄膜.这种薄膜生长在具有不同晶格参数的两种衬底上.测量发现,两种衬底上生长的La2-2xSr1+2xMn2O7(x=032)薄膜具有迥然不同的金属-绝缘体转变温度TM-I及其他物性.界面应力的研究表明这是衬底晶格常数不同引起膜内应变的结果.在衬底的压应力下,薄膜的电阻-温度曲线的峰值(TM-I)向高温移动且电阻率(ρ)下降;相反,对于衬底张应力下的薄膜,TM-I下降ρ上升.这些结果可以用双交换模型做很好的解释.

English Abstract

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