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畸变对hopping电导的影响:ThueMorse纳米结构模型

缪智武 丁建文 颜晓红 唐娜斯

畸变对hopping电导的影响:ThueMorse纳米结构模型

缪智武, 丁建文, 颜晓红, 唐娜斯
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-03-25
  • 修回日期:  2002-10-14
  • 刊出日期:  2003-05-20

畸变对hopping电导的影响:ThueMorse纳米结构模型

  • 1. (1)湘潭大学物理系,湘潭 411105; (2)湘潭大学物理系,湘潭 411105;株洲师专物理系,株洲 412007
    基金项目: 

    国家973计划项目(批准号:199906454500)、湖南省中青年科技基金(批准号:00JZY2138)和湖南省教育厅基金(批准号:00C072)资助的课题.

摘要: 发展实空间重正化群方法,研究了一维非周期ThueMorse纳米结构链的hopping电导率.计算表明ThueMorse纳米结构体系的晶粒种类、晶粒尺寸对hopping电导有显著的调制作用,界面结构和晶格畸变对hopping电导也有不同程度的影响.从无序度对hopping电导的影响来看,ThueMorse纳米结构链的无序度介于Fibonacci链和周期链之间.

English Abstract

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