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金属有机化学气相外延生长1310nm偏振无关混合应变量子阱半导体光放大器研究

朱光喜 陈四海 易新建 马 宏

金属有机化学气相外延生长1310nm偏振无关混合应变量子阱半导体光放大器研究

朱光喜, 陈四海, 易新建, 马 宏
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-12-16
  • 修回日期:  2004-03-08
  • 刊出日期:  2004-06-05

金属有机化学气相外延生长1310nm偏振无关混合应变量子阱半导体光放大器研究

  • 1. (1)华中科技大学电子与信息工程系,武汉 430074; (2)华中科技大学光电子工程系,武汉 430074; (3)华中科技大学光电子工程系,武汉 430074华中科技大学电子与信息工程系,武汉 430074
    基金项目: 

    中国博士后科学基金资助的课题.

摘要: 采用低压金属有机化学气相外延设备进行了1.3μm压应变量子阱材料、张应变量子阱材料和混合应变量子阱材料的生长研究.通过x射线双晶衍射和光致发光谱对生长材料进行测试和分析.基于四个压应变量子阱和三个张应变量子阱交替生长的混合应变量子阱(4CW3TW)结构有源区,并采用7°斜腔脊型波导结构以有效抑制腔面反射,经蒸镀减反膜后,半导体光放大器光纤光纤小信号增益达21.5dB,在1280—1340nm波长范围内偏振灵敏度小于0.6dB.

English Abstract

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