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SiC衬底上外延GaN:Mg材料特性研究

冯 倩 郝 跃 张晓菊 刘玉龙

SiC衬底上外延GaN:Mg材料特性研究

冯 倩, 郝 跃, 张晓菊, 刘玉龙
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-03-26
  • 修回日期:  2003-06-25
  • 刊出日期:  2004-01-05

SiC衬底上外延GaN:Mg材料特性研究

  • 1. (1)西安电子科技大学技术物理学院,西安 710071;西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071; (2)西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071; (3)中国科学院物理研究所光学开放实验室,北京 100080
    基金项目: 

    国家重大基础研究项目(973计划)与国防预研项目(批准号:41308060106)资助的课题.

摘要: 利用扫描电子显微镜、拉曼散射光谱和光致发光谱对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延的GaN:Mg薄膜特性进行研究发现:除了一部分Mg原子替代Ga原子呈现受主性外,大部分Mg原子以间隙原子状态(Mgi)存在,并且在缺陷或者位错处大量聚集引起薄膜张力应力减小,薄膜在降温过程中由于应力不均匀会在部分区域内出现大量的裂纹;Mg的掺杂会加剧GaN无序化程度,致使薄膜质量变差;而室温下的PL谱测量表明蓝带发光由DAP(深施主—浅受主)复合引起,其中D为MgGaVN

English Abstract

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