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用x射线形貌研究半绝缘砷化镓单晶胞状结构

徐岳生 唐 蕾 王海云 刘彩池 郝景臣

用x射线形貌研究半绝缘砷化镓单晶胞状结构

徐岳生, 唐 蕾, 王海云, 刘彩池, 郝景臣
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-02-10
  • 修回日期:  2003-03-18
  • 刊出日期:  2004-02-16

用x射线形貌研究半绝缘砷化镓单晶胞状结构

  • 1. (1)河北工业大学材料学院信息功能材料研究所,天津 300130; (2)中国信息产业部1413所,石家庄 050051
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:59972007)、中国人民解放军总装备部(批准号:00J502,2.1.QT4501)、科技部攀登计划(批准号:2000J504)和河北省自然科学基金(批准号:599033)资助的课题.

摘要: 通过x射线异常透射形貌(XRT),化学腐蚀显微观察和电子显微技术(TEM)研究了液封直拉(LEC)法生长的半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中蜂窝状胞状结构,从晶体生长和冷却过程的热应力、弹性形变引起位错的运动和反应考虑,分析了该结构的形成机理与过程.认为这是由高密度位错(EPD)运动和反应所形成的小角度晶界的集合群.

English Abstract

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