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单畴的单原子In纳米线阵列的制备与研究

窦瑞芬 贾金锋 徐茂杰 潘明虎 何 珂 张丽娟 薛其坤

单畴的单原子In纳米线阵列的制备与研究

窦瑞芬, 贾金锋, 徐茂杰, 潘明虎, 何 珂, 张丽娟, 薛其坤
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  • 利用Si(001)向[110]方向偏4°角的斜切表面作为衬底,成功地制备了分布均匀的单畴的单原子In链阵列.扫描隧道显微镜分析表明,沉积的In原子优先吸附在台面上沿着台阶内边缘的位置,并在两个Si的二聚体链之间形成稳定的In二聚体.In二聚体组成直的单原子链,其生长机理与Car提出的“表面聚合反应”相一致.另外,衬底具有非常窄的台面和双原子层台阶边的特殊结构是形成单畴的单原子链的关键.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60021403)和国家科学技术部基金(批准号:10134030)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-06-24
  • 修回日期:  2003-07-24
  • 刊出日期:  2004-03-15

单畴的单原子In纳米线阵列的制备与研究

  • 1. 中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室,北京 100080
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60021403)和国家科学技术部基金(批准号:10134030)资助的课题.

摘要: 利用Si(001)向[110]方向偏4°角的斜切表面作为衬底,成功地制备了分布均匀的单畴的单原子In链阵列.扫描隧道显微镜分析表明,沉积的In原子优先吸附在台面上沿着台阶内边缘的位置,并在两个Si的二聚体链之间形成稳定的In二聚体.In二聚体组成直的单原子链,其生长机理与Car提出的“表面聚合反应”相一致.另外,衬底具有非常窄的台面和双原子层台阶边的特殊结构是形成单畴的单原子链的关键.

English Abstract

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