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离子注入GaAs实现双包层掺镱光纤激光器被动调Q锁模

王勇刚 马骁宇 付圣贵 范万德 李 强 袁树忠 董孝义 宋晏蓉 张志刚

离子注入GaAs实现双包层掺镱光纤激光器被动调Q锁模

王勇刚, 马骁宇, 付圣贵, 范万德, 李 强, 袁树忠, 董孝义, 宋晏蓉, 张志刚
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-07-24
  • 修回日期:  2003-11-05
  • 刊出日期:  2004-06-15

离子注入GaAs实现双包层掺镱光纤激光器被动调Q锁模

  • 1. 

摘要: 用离子注入的半绝缘GaAs晶片作为吸收体和输出镜,在双包层掺镱光纤激光器上实现了调Q锁模. 离子注入的能量为400keV的As+离子,注入剂量为1016/cm2,然后在600℃下退火20min. 当抽运功率为5W时, 脉冲平均输出功率为200mW, 调Q包络重复频率为50kHz, 半高宽为4μs,锁模脉冲重复频率为15MHz.

English Abstract

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