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1.55μm AlGaInAs-InP偏振无关半导体光放大器及其温度特性研究

马 宏 陈四海 金锦炎 易新建 朱光喜

1.55μm AlGaInAs-InP偏振无关半导体光放大器及其温度特性研究

马 宏, 陈四海, 金锦炎, 易新建, 朱光喜
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-12-16
  • 修回日期:  2004-01-16
  • 刊出日期:  2004-03-05

1.55μm AlGaInAs-InP偏振无关半导体光放大器及其温度特性研究

  • 1. 华中科技大学光电子工程系,武汉 430074;华中科技大学电子与信息工程系,武汉 430074

摘要: 采用低压金属有机气相外延(LPMOCVD)设备生长并制作了1.55μm AlGaInAs-InP偏振无关半导体光放大器,有源区为3周期的张应变量子阱结构,应变量为0.35%;器件制作成脊型波导结构,并采用7°斜腔结构以有效抑制腔面反射;经蒸镀减反膜后,半导体光放大器的自发辐射功率的波动小于0.3 dB,3 dB带宽为 50 nm,半导体光放大器小信号增益近20dB,带宽亦为50 nm.在1530—1580nm波长范围内偏振灵敏度小于0.5dB,峰值增益波长的饱和输出功率达7dBm;器件增益随温度的升高而

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