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电子束蒸发制备HfO2高k薄膜的结构特性

徐 闰 蒋最敏 阎志军 王印月

电子束蒸发制备HfO2高k薄膜的结构特性

徐 闰, 蒋最敏, 阎志军, 王印月
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-08-15
  • 修回日期:  2003-12-09
  • 刊出日期:  2004-08-16

电子束蒸发制备HfO2高k薄膜的结构特性

  • 1. (1)复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海 200433; (2)兰州大学物理系,兰州 730000
    基金项目: 

    国家重点基础研究专项基金(批准号:G2001CB3095)资助的课题.

摘要: 使用高真空电子束蒸发在p型Si(100)衬底上制备了高k HfO2薄膜.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学配比;x射线衍射测量表明刚沉积的薄膜是近非晶的,高温退火后发生部分晶化;原子力显微镜和扫描电子显微镜检测显示在高温退火前后薄膜均具有相当平整的表面,表明薄膜具有优良的热稳定性;椭偏测得在600?nm处薄膜折射率为2.09;电容电压测试得到的薄膜介电常数为19.这些特性表明高真空电子束蒸发是一种很有希望的制备作为栅介质的HfO2薄膜的方法.

English Abstract

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