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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管温度传感器特性

刘旭阳 张贺秋 李冰冰 刘俊 薛东阳 王恒山 梁红伟 夏晓川

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管温度传感器特性

刘旭阳, 张贺秋, 李冰冰, 刘俊, 薛东阳, 王恒山, 梁红伟, 夏晓川
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  • 本文制作了基于无栅AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管结构的温度传感器, 并对其温度相关的电学特性进行了表征. 实验测试了器件从50 ℃到400 ℃的变温电流-电压特性, 研究了器件灵敏度随着器件沟道长宽比的变化, 并研究了在300—500 ℃高温的空气和氮气中经过1小时恒温加热后器件的电学特性变化. 理论与实验研究结果表明, 随着器件沟道长宽比的增大, 器件的灵敏度会随之上升; 在固定电流0.01 A下, 器件电压随温度变化的平均灵敏度为44.5 mV/℃. 同时, 稳定性实验显示器件具有较好的高温保持稳定性.
      通信作者: 张贺秋, hqzhang@dlut.edu.cn
    • 基金项目: 国家级-面向空间应用的SiC基PIN型软X射线探测器研究(ZX0180421)
    [1]

    张洵, 靳东明, 刘理天 2014 传感器与微系统 3 1

    Zhang X, Jin D M, Liu L T 2014 Transd. Microsys. Technol. 3 1

    [2]

    Rue B, Flandre D 2007 Proccedings 2007 IEEE International SOI Conference Indian Wells, CA, USA, Oct 1−4, 2007 p111

    [3]

    de Souza M, Rue B, Flandre D, Pavanello M A 2009 Proccedings 2009 IEEE International SOI Conference Foster City, CA, USA, Oct 5−8, 2009 p1

    [4]

    Xie G, Edward X, Niloufar H, Zhang B, Fred Y F, Wai T N 2012 Chin. Phys. B 21 086105

    [5]

    段宝兴, 杨银堂 2014 物理学报 63 57302

    Duan B X, Yang Y T 2014 Acta Phys. Sin. 63 57302

    [6]

    Ambacher O, Smart J, Shealy J R, Weimann N G, Chu K, Murphy M, Schaff W J, Eastman L F, Dimitrov R, Wittmer L, Stutzmann M, Rieger W, Hilsenbeck J 1999 J. Appl. Phys. 85 3222

    [7]

    孔月婵, 郑有炓, 周春红, 邓永桢, 顾书林, 沈波, 张荣, 韩平, 江若琏, 施毅 2004 物理学报 53 2320

    Kong Y C, Zheng Y D, Zhou C H, Deng Y Z, Gu S L, Shen B, Zhang R, Han P, Jiang R L, Shi Y 2004 Acta Phys. Sin. 53 2320

    [8]

    Kwan A M H, Guan Y, Liu X S, Chen K J 2014 IEEE Trans. Electron Devices 61 2970

    [9]

    Rao S, Pangallo G, Della Corte F G 2016 IEEE Trans. Electron Devices 63 414

    [10]

    Matthus C D, Erlbacher T, Hess A, Bauer A J, Frey L 2017 IEEE Trans Electron Devices 64 3399

    [11]

    Madhusoodhanan S, Sandoval S, Zhao Y, Ware M E, Chen Z 2017 IEEE Electr Device Lett. 38 1105

    [12]

    Pristavu G, Brezeanu G, Pascu R, Draghici F, Badila M 2019 Mater. Sci. Semicond. Process. 94 64

    [13]

    顾江, 王强, 鲁宏 2011 物理学报 60 077107

    Gu J, Wang Q, Lu H 2011 Acta Phys. Sin. 60 077107

    [14]

    刘艳 2017 博士学位论文(济南: 山东大学)

    Liu Y 2017 Ph. D. Dissertation (Jinan: Shandong University) (in Chinese)

    [15]

    Huque M A, Eliza S A, Rahman T, Huq H F, Islam S K 2009 Solid State Electron. 53 341

    [16]

    Yahyazadeh R, Hashempour Z 2010 27 th International Conference on Microelectronics (MIEL 2010) Nis, Serbia, May 16−19, 2010 p189

    [17]

    Iwanaga H, Kunishige A, Takeuchi S 2000 J. Mater. Sci. 35 2451

    [18]

    Akita M, Kishimoto S, Mizutani T 2001 IEEE Electron Device Lett. 22 376

    [19]

    Chang Y C, Tong K Y, Surya C 2005 Semicond. Sci. Technol. 20 188

    [20]

    Nagelkerke N J D 1991 Biometrika 78 691

    [21]

    任舰 2017博士学位论文(无锡: 江南大学)

    Ren J 2017 Ph. D. Dissertation (Wuxi: Jiangnan University) (in Chinese)

    [22]

    陈伟伟 2016 博士学位论文(Xi’an: 西安电子科技大学)

    Chen W W 2016 Ph. D. Dissertation (Xi’an: Xidian University) (in Chinese)

  • 图 1  器件结构示意图

    Fig. 1.  Schematic diagram of the device structure.

    图 2  HEMT器件两端电压在电流固定时随温度的变化

    Fig. 2.  The voltage change across the HEMT device with temperature when the current is fixed.

    图 3  HEMT器件在50−400 ℃下的I-V特性曲线

    Fig. 3.  I-V characteristic curve of HEMT device at 50−400 °C

    图 4  固定电流(0.01 A)下电压随温度的变化曲线与其拟合曲线

    Fig. 4.  Curve and fitting curve of voltage changes with temperature at fixed current (0.01 A).

    图 5  器件灵敏度随沟道长度的变化

    Fig. 5.  Device sensitivity as a function of channel length.

    图 6  器件在N2氛围中的高温保持稳定性

    Fig. 6.  Temperature stability of the device in N2 atmosphere.

    图 7  器件在空气氛围中的高温保持稳定性

    Fig. 7.  Temperature stability of the device in an air atmosphere.

    表 1  一些不同结构的半导体高温温度传感器

    Table 1.  Some semiconductor high temperature sensors in various structures.

    文献结构灵敏度/ mV/℃温度/℃
    [8]单片集成的AlGaN/GaN HEMT0.3825—250
    [9]4H-SiC p-i-n二极管2.66 20—300
    [10]4H-SiC p-i-n二极管4.525—460
    [11]GaN-on-SiC异质结二极管2.2525—400
    [12]Ni/4H-SiC 肖特基二极管2.3325—450
    本文工作无栅AlGaN/GaN HEMT44.550—400
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    表 2  拟合参数列表

    Table 2.  List of fitting parameters.

    参数μ300 KφB(m)NddAlGaNεAlGaN(m)
    单位cm2/(V·s)eVcm–3nmε0
    11000.85+1.3 m3 × 10172010.4–0.3 m
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  • [1]

    张洵, 靳东明, 刘理天 2014 传感器与微系统 3 1

    Zhang X, Jin D M, Liu L T 2014 Transd. Microsys. Technol. 3 1

    [2]

    Rue B, Flandre D 2007 Proccedings 2007 IEEE International SOI Conference Indian Wells, CA, USA, Oct 1−4, 2007 p111

    [3]

    de Souza M, Rue B, Flandre D, Pavanello M A 2009 Proccedings 2009 IEEE International SOI Conference Foster City, CA, USA, Oct 5−8, 2009 p1

    [4]

    Xie G, Edward X, Niloufar H, Zhang B, Fred Y F, Wai T N 2012 Chin. Phys. B 21 086105

    [5]

    段宝兴, 杨银堂 2014 物理学报 63 57302

    Duan B X, Yang Y T 2014 Acta Phys. Sin. 63 57302

    [6]

    Ambacher O, Smart J, Shealy J R, Weimann N G, Chu K, Murphy M, Schaff W J, Eastman L F, Dimitrov R, Wittmer L, Stutzmann M, Rieger W, Hilsenbeck J 1999 J. Appl. Phys. 85 3222

    [7]

    孔月婵, 郑有炓, 周春红, 邓永桢, 顾书林, 沈波, 张荣, 韩平, 江若琏, 施毅 2004 物理学报 53 2320

    Kong Y C, Zheng Y D, Zhou C H, Deng Y Z, Gu S L, Shen B, Zhang R, Han P, Jiang R L, Shi Y 2004 Acta Phys. Sin. 53 2320

    [8]

    Kwan A M H, Guan Y, Liu X S, Chen K J 2014 IEEE Trans. Electron Devices 61 2970

    [9]

    Rao S, Pangallo G, Della Corte F G 2016 IEEE Trans. Electron Devices 63 414

    [10]

    Matthus C D, Erlbacher T, Hess A, Bauer A J, Frey L 2017 IEEE Trans Electron Devices 64 3399

    [11]

    Madhusoodhanan S, Sandoval S, Zhao Y, Ware M E, Chen Z 2017 IEEE Electr Device Lett. 38 1105

    [12]

    Pristavu G, Brezeanu G, Pascu R, Draghici F, Badila M 2019 Mater. Sci. Semicond. Process. 94 64

    [13]

    顾江, 王强, 鲁宏 2011 物理学报 60 077107

    Gu J, Wang Q, Lu H 2011 Acta Phys. Sin. 60 077107

    [14]

    刘艳 2017 博士学位论文(济南: 山东大学)

    Liu Y 2017 Ph. D. Dissertation (Jinan: Shandong University) (in Chinese)

    [15]

    Huque M A, Eliza S A, Rahman T, Huq H F, Islam S K 2009 Solid State Electron. 53 341

    [16]

    Yahyazadeh R, Hashempour Z 2010 27 th International Conference on Microelectronics (MIEL 2010) Nis, Serbia, May 16−19, 2010 p189

    [17]

    Iwanaga H, Kunishige A, Takeuchi S 2000 J. Mater. Sci. 35 2451

    [18]

    Akita M, Kishimoto S, Mizutani T 2001 IEEE Electron Device Lett. 22 376

    [19]

    Chang Y C, Tong K Y, Surya C 2005 Semicond. Sci. Technol. 20 188

    [20]

    Nagelkerke N J D 1991 Biometrika 78 691

    [21]

    任舰 2017博士学位论文(无锡: 江南大学)

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    [22]

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  • [1] 刘乃漳, 张雪冰, 姚若河. AlGaN/GaN 高电子迁移率器件外部边缘电容的物理模型. 物理学报, 2020, (): . doi: 10.7498/aps.69.20191931
    [2] 李闯, 李伟伟, 蔡理, 谢丹, 刘保军, 向兰, 杨晓阔, 董丹娜, 刘嘉豪, 陈亚博. 基于银纳米线电极-rGO敏感材料的柔性NO2气体传感器. 物理学报, 2020, 69(5): 058101. doi: 10.7498/aps.69.20191390
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    [4] 梁琦, 王如志, 杨孟骐, 王长昊, 刘金伟. Al2O3衬底无催化剂生长GaN纳米线及其光学性能研究. 物理学报, 2020, (): . doi: 10.7498/aps.69.20191923
    [5] 卢超, 陈伟, 罗尹虹, 丁李利, 王勋, 赵雯, 郭晓强, 李赛. 纳米体硅鳍形场效应晶体管单粒子瞬态中的源漏导通现象研究. 物理学报, 2020, (): . doi: 10.7498/aps.69.20191896
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    [7] 任县利, 张伟伟, 伍晓勇, 吴璐, 王月霞. 高熵合金短程有序现象的预测及其对结构的电子、磁性、力学性质的影响. 物理学报, 2020, 69(4): 046102. doi: 10.7498/aps.69.20191671
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    [10] 张战刚, 雷志锋, 童腾, 李晓辉, 王松林, 梁天骄, 习凯, 彭超, 何玉娟, 黄云, 恩云飞. 14 nm FinFET和65 nm平面工艺静态随机存取存储器中子单粒子翻转对比. 物理学报, 2020, 69(5): 056101. doi: 10.7498/aps.69.20191209
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    [12] 罗端, 惠丹丹, 温文龙, 李立立, 辛丽伟, 钟梓源, 吉超, 陈萍, 何凯, 王兴, 田进寿. 超紧凑型飞秒电子衍射仪的设计. 物理学报, 2020, 69(5): 052901. doi: 10.7498/aps.69.20191157
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    [15] 张雅男, 詹楠, 邓玲玲, 陈淑芬. 利用银纳米立方增强效率的多层溶液加工白光有机发光二极管. 物理学报, 2020, 69(4): 047801. doi: 10.7498/aps.69.20191526
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出版历程
  • 收稿日期:  2019-04-29
  • 修回日期:  2019-12-08

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管温度传感器特性

  • 大连理工大学微电子学院, 大连 116024
  • 通信作者: 张贺秋, hqzhang@dlut.edu.cn
    基金项目: 国家级-面向空间应用的SiC基PIN型软X射线探测器研究(ZX0180421)

摘要: 本文制作了基于无栅AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管结构的温度传感器, 并对其温度相关的电学特性进行了表征. 实验测试了器件从50 ℃到400 ℃的变温电流-电压特性, 研究了器件灵敏度随着器件沟道长宽比的变化, 并研究了在300—500 ℃高温的空气和氮气中经过1小时恒温加热后器件的电学特性变化. 理论与实验研究结果表明, 随着器件沟道长宽比的增大, 器件的灵敏度会随之上升; 在固定电流0.01 A下, 器件电压随温度变化的平均灵敏度为44.5 mV/℃. 同时, 稳定性实验显示器件具有较好的高温保持稳定性.

English Abstract

    • 温度传感器是应用最广泛的传感器之一. 随着科技的不断发展, 温度传感器在医学、工业、航空及民用领域都得到了广泛的应用. 与传统的温度传感器如热电阻、热电偶传感器相比, 半导体温度传感器具有灵敏度高、体积小、功耗低、抗干扰能力强等诸多优点, 无论输出信号是电压、电流还是频率, 在一定的温度范围内都可与温度成线性关系[1].

      然而在高温测量领域中, 使用传统的半导体材料制作的温度传感器已经逐渐不能满足社会对它的需求. 例如当涉及高热预算时, Si的半导体特性会发生变化, 从而使得大部分Si基器件的工作温度不适合超过150 ℃[2,3]. GaN材料具有优良的特性: 大禁带宽度、高电子饱和速率和高击穿电场; 制作的器件具有良好的电学特性: 高击穿电压和低的漏电流等, 可以在高温、高压、高频与强辐照的环境中工作[4,5]. GaN基器件的工作温度可以达到600 ℃以上, 这是传统Si材料器件无法比拟的. 而与其他的一些半导体温度传感器相比, GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)温度传感器的主要优势是由于高的二维电子气(2DEG)浓度和高的载流子迁移率[6,7]带来的高灵敏度. 由于近年来GaN基器件的快速发展, GaN基HEMT温度传感器在航空航天、化学工业、矿物开采加工等领域也有着广泛的应用前景.

      2014年, Kwan等[8]展示了利用单片集成的GaN器件得到了高度线性的温度-电压关系. 2016年, Rao等[9]设计并制造了一个基于4H-SiC的p-i-n二极管温度传感器, 测量温度高达300 ℃, 最大灵敏度为2.66 m V/℃. 2017年, Matthus等[10]制造的4H-SiC p-i-n二极管具有4.5 mV/℃的极高灵敏度, 测温范围为室温到460 ℃. 同年, Madhusoodhanan等[11]制作了GaN-on-SiC异质结二极管并在室温到400 ℃进行了测试, 灵敏度最高为2.25 mV/℃. 2019年, Pristavu等[12]制备了Ni/4H-SiC 肖特基二极管温度传感器, 并在室温到450 ℃内进行了测试, 器件表现出了稳定的灵敏度(最高2.33 mV/℃)和出色的线性度. 表1列出了近年来发表的一些高温半导体温度传感器的器件参数.

      文献结构灵敏度/ mV/℃温度/℃
      [8]单片集成的AlGaN/GaN HEMT0.3825—250
      [9]4H-SiC p-i-n二极管2.66 20—300
      [10]4H-SiC p-i-n二极管4.525—460
      [11]GaN-on-SiC异质结二极管2.2525—400
      [12]Ni/4H-SiC 肖特基二极管2.3325—450
      本文工作无栅AlGaN/GaN HEMT44.550—400

      表 1  一些不同结构的半导体高温温度传感器

      Table 1.  Some semiconductor high temperature sensors in various structures.

      本文设计并制造了无栅AlGaN/GaN HEMT温度传感器, 并对其特性进行了表征, 这在目前发表的一些GaN HEMT器件相关的文章中是很少见的. 该器件由具有GaN帽层的AlGaN/GaN异质结构材料制备而成. 文中给出了器件随温度变化的输出特性曲线, 并利用实验与理论分析结合的方式给出了器件灵敏度随沟道长度的变化关系, 同时研究了器件的高温保持稳定性.

    • 实验中使用的AlGaN/GaN异质结材料是在蓝宝石衬底上外延生长的, 外延层从下至上包括大于1 μm 的GaN缓冲层, 大于150 nm的GaN沟道层, 20 nm的Al0.25Ga0.75N层和2.5 nm的GaN帽层. 经室温下的霍尔测试得到: 外延片的方块电阻为300 Ω/□, 2DEG浓度为1.4 × 1013 cm–2, 霍尔迁移率为1350 cm2/(V·s). 器件结构为无栅HEMT结构. 用热蒸发的方法制备了Ti/Al/Ni/Au (20 nm/100 nm/50 nm/100 nm)源漏电极, 电极形状为直径0.8 mm的圆形, 在N2氛围下830 ℃退火50 s形成了欧姆接触. 器件结构示意图如下图1所示.

      图  1  器件结构示意图

      Figure 1.  Schematic diagram of the device structure.

    • 实验中利用kethely2611源表对器件的电学特性进行了测试. 使用HP-1010加热台为器件加热, 在50—400 ℃范围内测试器件的变温电流-电压(I-V)特性. 在研究器件的高温保持稳定性过程中, 将器件在管式炉中分别加热到300 ℃, 400 ℃, 500 ℃并保持一小时, 比较了加热前后样品电学特性的变化.

    • 对HEMT器件, 在漏源之间施加电压后, 设沿沟道方向电势为V(x), 则有

      $ {\rm{e}}{n_{\rm{s}}} = \frac{{{\varepsilon _0}{\varepsilon _{{\rm{AlGaN}}}}\left( m \right)}}{{{{\rm{d}}_{{\rm{AlGaN}}}}\left( {m,\;T} \right)}}\left( {{V_{\rm{G}}} - {V_{\rm{T}}}\left( {{\rm{m}},{\rm{T}}} \right) - V\left( {\rm{x}} \right)} \right), $

      其中e为电子电量, ns为2DEG的浓度, ε0为真空介电常数, εAlGaN为AlGaN层的相对介电常数, m为铝组分, T为开氏温度, dAlGaN为AlGaN层的厚度, VG为栅压(下文的计算中认为栅压为0). 因此

      $\begin{split} {I_{{\rm{DS}}}} =\; & W\mu \left( T \right)\frac{{\left. {{\rm{d}}V({\rm{x}}} \right)}}{{\left. {{\rm{d}}({\rm{x}}} \right)}}\frac{{{\varepsilon _0}{\varepsilon _{{\rm{AlGaN}}}}\left( m \right)}}{{{d_{{\rm{AlGaN}}}}\left( {m,T} \right)}}\\ & \times\left( {{V_{\rm{G}}} - {V_{\rm{T}}}\left( {m,T} \right) - V\left( {\rm{x}} \right)} \right),\end{split}$

      其中μ为2DEG的迁移率, VT阈值电压是一个与mT有关的量, 对(2)式两端由源端向漏端积分, 即可得到

      $\begin{split} {I_{{\rm{DS}}}} =\; & \frac{{{\varepsilon _0}{\varepsilon _{{\rm{AlGaN}}}}\left( m \right)\mu \left( T \right)W}}{{2L{d_{{\rm{AlGaN}}}}\left( {m,T} \right)}}\\ & \times\left[ {2\left( {{V_{\rm{G}}} - {V_{\rm{T}}}\left( {m,T} \right)} \right){V_{{\rm{DS}}}} - V_{{\rm{DS}}}^2} \right]\end{split}$

      其中W为沟道的宽度, 与电极的宽度一致, L为沟道长度. 在线性区, 即VDS $\ll $ (VG-VT)时, 可以简化为

      $ {I_{{\rm{DS}}}}{\rm{ = }}\frac{{{\varepsilon _0}{\varepsilon _{{\rm{AlGaN}}}}\mu \left( T \right)W}}{{L{d_{{\rm{AlGaN}}}}\left( {m,T} \right)}}\left( {{V_{\rm{G}}} - {V_{\rm{T}}}\left( {m,T} \right)} \right){V_{{\rm{DS}}}}, $

      即:

      $ {V_{{\rm{DS}}}} = \frac{{L{d_{{\rm{AlGaN}}}}\left( {m,T} \right)}}{{{\varepsilon _0}{\varepsilon _{{\rm{AlGaN}}}}W\mu \left( T \right)\left( {{V_{\rm{G}}} - {V_{\rm{T}}}\left( {m,T} \right)} \right)}}{I_{{\rm{DS}}}}. $

      在保持恒流的模式下, (5)式两边对温度T求导, 即得到器件电压随温度变化的电压灵敏度的公式:

      $ \frac{{{\rm{d}}{V_{{\rm{DS}}}}}}{{{\rm{d}}T}} = \frac{{{I_{{\rm{DS}}}}L}}{{{\varepsilon _0}{\varepsilon _{{\rm{AlGaN}}}}W}}{\left( {\frac{{{d_{{\rm{AlGaN}}}}\left( {m,T} \right)}}{{\mu \left( T \right)\left( {{V_{\rm{G}}} - {V_{\rm{T}}}\left( {m,T} \right)} \right)}}} \right)'}. $

      因此, 在线性区, 铝组分固定的情况下, 器件的I-V特性变化主要与μ, d, 以及VT随温度的变化有关, 而其本质上就是由于GaN基材料禁带宽度以及2DEG的迁移率[13]与浓度随温度的变化. 温度升高过程中, 由于AIGaN和GaN的热膨胀系数不同, 造成AlGaN层势垒层应变能减小, 从而导致极化电荷面密度和极化电场减小, 对2DEG的限制作用降低. 此外, 随温度上升, 电子热激发能(KbT)增大, 三角形势阱中的2DEG电子热激发到更高能态的几率增大, 2DEG电子体系的量子特征也会减弱. 而迁移率则是由于极化库伦场散射在AlGaN/GaN HEMT器件中所起的作用, 呈现出随温度的升高而下降的趋势[14].

      当器件在线性区时, 迁移率随温度的变化可以用下述公式来简单描述[15]:

      $ {\mu _{\rm{T}}} = {\mu _{300{\rm{K}}}}{\left( {\frac{T}{{300}}} \right)^{ - 1.6}}. $

      而阈值电压VT随温度的变化则可以由下面公式计算[15,16]:

      $ \begin{split} {V_{\rm{T}}}\left( {T,m} \right) =\; & {\varphi _{\rm{B}}} - \Delta {E_{\rm{c}}}\left( {T,m} \right) \\ & - \frac{{{\sigma _{{\rm{pz}}}}\left( {T,m} \right){d_{{\rm{AlGaN}}}}}}{{{\varepsilon _{{\rm{AlGaN}}}}\left( m \right)}} - \frac{{q{N_{\rm{d}}}d_{{\rm{AlGaN}}}^2}}{{2{\varepsilon _{{\rm{AlGaN}}}}\left( m \right)}}, \end{split}$

      $ \Delta {E_{\rm{c}}}\left( {T,m} \right) = 0.75\left( {E_g^{{\rm{AlGaN}}}\left( {T,m} \right) - E_g^{{\rm{GaN}}}\left( {T,m} \right)} \right), $

      $\begin{split} E_g^{{\rm{AlGaN}}}\left( {{\rm{T}},{\rm{m}}} \right) =\; & mE_g^{{\rm{AlN}}}\left( {T,m} \right) + \left( {1 - m} \right)E_g^{{\rm{GaN}}}\left( T \right)\\ & + m\left( {1 - m} \right),\\[-10pt]\end{split}$

      $ E_g^{{\rm{AlN}}}\left( T \right) = 6.34 - 1.799 \times {10^{ - 3}} \times \frac{{{T^2}}}{{T + 1462}}, $

      $ E_g^{{\rm{GaN}}}\left( T \right) = 3.582 - 9.09 \times {10^{ - 4}} \times \frac{{{T^2}}}{{T + 830}}, $

      其中μTμ300 K分别为温度T和300 K下2DEG的迁移率, φB为肖特基势垒高度, ΔEc为AlGaN/GaN界面处的导带差, σpz为极化电荷面密度, Nd为AlGaN层的掺杂浓度, EgAlGaN, EgGaNEgAlN分别为AlGaN, GaN和AlN的禁带宽度.

      利用上述模型对器件特性随温度变化进行了模拟计算, 考虑到材料的晶格常数随温度的变化较小(小于千分之一)[17], 因此计算中忽略了温度对AlGaN层厚度以及极化电荷面密度的影响, 表2中为拟合中一些参数的设定. 图2为器件的理论模拟结果, 可以看出固定电流(0.01 A)的情况下, 器件两端电压随温度不是线性变化的, 而使用E指数拟合方法可以很好的对器件电压随温度的变化进行拟合.

      参数μ300 KφB(m)NddAlGaNεAlGaN(m)
      单位cm2/(V·s)eVcm–3nmε0
      11000.85+1.3 m3 × 10172010.4–0.3 m

      表 2  拟合参数列表

      Table 2.  List of fitting parameters.

      图  2  HEMT器件两端电压在电流固定时随温度的变化

      Figure 2.  The voltage change across the HEMT device with temperature when the current is fixed.

    • 图3显示了HEMT器件在50—400 ℃范围内不同温度下的I-V特性曲线, 可以看出随着温度的升高, 漏电流随之逐渐降低, 这与相关文献中报导的结果相符[18,19]. 为了获得更高的器件灵敏度, 也考虑到分立器件对于功耗没有十分严苛的要求, 固定电流选择了尽可能大的0.01 A. 图4显示了器件在0.01 A时两端压降随温度的变化及E指数的拟合曲线, 由图中的数据可以计算得到拟合优度R2[20]以评估实验测量值与其拟合值之间的一致性, E指数方法拟合的拟合优度R2为0.992, 这也验证了前文理论推导的结果. 通过对电压-温度关系的E指数拟合曲线求导后再积分取均值计算得出, 器件的平均灵敏度为44.5 mV/℃.

      图  3  HEMT器件在50−400 ℃下的I-V特性曲线

      Figure 3.  I-V characteristic curve of HEMT device at 50−400 °C

      图  4  固定电流(0.01 A)下电压随温度的变化曲线与其拟合曲线

      Figure 4.  Curve and fitting curve of voltage changes with temperature at fixed current (0.01 A).

      由(6)式可推知, 改变器件的L/W可以使器件的灵敏度随之变化, 随着L/W的增加, 器件的灵敏度也会随之增加, 而实验结果也证明了这一点. 如图5所示, HEMT温度传感器沟道长度从1.5 mm增加为2.3 mm时, L/W变为原来的1.53倍, 灵敏度也变为原来的1.39倍; 沟道长度从2.3 mm增加为4.5 mm时, L/W变为原来的1.96倍, 灵敏度也变为原来的1.59倍.

      图  5  器件灵敏度随沟道长度的变化

      Figure 5.  Device sensitivity as a function of channel length.

      本文还研究了器件的高温保持稳定性问题. 图6图7分别显示了器件在N2氛围和空气氛围中的高温保持稳定性, 分别测试了器件在300 ℃, 400 ℃和500 ℃下保持一小时后的I-V特性变化. 可以看出器件在高温下保持一小时后电学特性的变化范围在10%以内, 器件具有较好的高温保持稳定性. 器件性能的变化可能是由于热载流子效应或是金属电极与材料的相互扩散引起的[21,22], 具体的变化机制还需要进一步研究.

      图  6  器件在N2氛围中的高温保持稳定性

      Figure 6.  Temperature stability of the device in N2 atmosphere.

      图  7  器件在空气氛围中的高温保持稳定性

      Figure 7.  Temperature stability of the device in an air atmosphere.

    • 使用热蒸发方法制备了无栅AlGaN/GaN HEMT温度传感器并对器件的变温输出特性进行了测试. 实验显示器件在固定电流0.01 A时电压随温度的变化可以用E指数模型对其进行很好的拟合, 与理论分析结果相一致. 器件尺寸在6.1 mm × 0.8 mm时的灵敏度可以达到44.5 mV/℃. 改变器件的沟道长宽比L/W可以对器件的灵敏度进行调整, 灵敏度会随着L/W的增加而增大. 器件长时间处在300 ℃以上的高温空气和氮气氛围后电学特性变化不大, 具有较好的高温保持稳定性.

参考文献 (22)

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