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双异质结双漂移区InP/InGaAsP/InP微波雪崩二极管的设想

杨玉芬

双异质结双漂移区InP/InGaAsP/InP微波雪崩二极管的设想

杨玉芬
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出版历程
  • 收稿日期:  1980-09-24
  • 刊出日期:  2005-07-27

双异质结双漂移区InP/InGaAsP/InP微波雪崩二极管的设想

  • 1. 中国科学院半导体研究所

摘要: 本文提出了一种双异质结双漂移区InP/InGaAsP/InP微波雪崩二极管的设想,分析表明:该器件的电压调制度可达100%,对应的直流到射频的转换率为64%,同时给出了器件的小信号理论分析。

English Abstract

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