搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

砷化镓上银和金膜的价带光电子谱

莫党 潘士宏 W. E. SPICER I. LINDAU

砷化镓上银和金膜的价带光电子谱

莫党, 潘士宏, W. E. SPICER, I. LINDAU
PDF
导出引用
  • 木文测量了光子能量为21.2eV,40.8eV和1486.6eV的光电子谱,得到了关于GaAs(110)解理面上银膜的价带能谱新数据,并得到金膜价带能谱的补充数据,蒸发的银膜和金膜的厚度范围为0.l?到1000?,实验上发现并讨论了下面的现象:GaAs(110)面上金膜和银膜的紫外价带光电子谱的强度与膜厚的关系曲线中出现极大峰。
  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  3474
  • PDF下载量:  422
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1983-01-13
  • 刊出日期:  2005-07-21

砷化镓上银和金膜的价带光电子谱

  • 1. (1)美国Stanford大学; (2)南开大学物理系; (3)中山大学物理系

摘要: 木文测量了光子能量为21.2eV,40.8eV和1486.6eV的光电子谱,得到了关于GaAs(110)解理面上银膜的价带能谱新数据,并得到金膜价带能谱的补充数据,蒸发的银膜和金膜的厚度范围为0.l?到1000?,实验上发现并讨论了下面的现象:GaAs(110)面上金膜和银膜的紫外价带光电子谱的强度与膜厚的关系曲线中出现极大峰。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回