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V3X系d带相对移动量的配位场方法的计算

朱元贞 潘少华

V3X系d带相对移动量的配位场方法的计算

朱元贞, 潘少华
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出版历程
  • 收稿日期:  1982-04-09
  • 刊出日期:  2005-07-21

V3X系d带相对移动量的配位场方法的计算

  • 1. 中国科学院物理研究所

摘要: 本文用配位场方法计算在D2d)晶场作用下,V3X(X=Si,Ga,Ge,Sb,Sn)超导化合物中d电子各态的附加势能,给出A-15超导化合物d带相对移动模型中的特征量——d子带相对移动量△E⊥——与晶格常数的解析关系及其数值结果。并用于磁化率的计算。

English Abstract

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