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磁场中窄禁带半导体的高阶光学性质(Ⅰ)

柳树政

磁场中窄禁带半导体的高阶光学性质(Ⅰ)

柳树政
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出版历程
  • 收稿日期:  1983-11-14
  • 刊出日期:  2005-03-28

磁场中窄禁带半导体的高阶光学性质(Ⅰ)

  • 1. 北京大学物理系,中央广播电视大学

摘要: 本文计算了在磁场中,窄禁带半导体的能级和波函数、双光子跃迁的选择定则以及双光子磁吸收系数,并将计算结果与实验进行了比较。

English Abstract

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