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脉冲激光辐照p型硅单晶向n型转化

王宏楷 姚杰 陈宝琼

脉冲激光辐照p型硅单晶向n型转化

王宏楷, 姚杰, 陈宝琼
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出版历程
  • 收稿日期:  1983-12-13
  • 刊出日期:  2005-05-10

脉冲激光辐照p型硅单晶向n型转化

  • 1. (1)电子工业部46所; (2)中山大学物理系

摘要: 本文研究了p型硅单晶用红宝石脉冲激光辐照之后向n型转化的效应。这个效应与补偿杂质有关。实验结果表明:脉冲激光辐照之后补偿杂质浓度增加,补偿杂质磷分布发生变化,杂质补偿度大于7%的样品在被激光辐照的区域较容易转变为n型导电。这个效应与硅单晶中氧含量、晶面和晶体生长方式无关。

English Abstract

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