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氧在硅表面上吸附的晶向关系

W. RANKE 邢益荣

氧在硅表面上吸附的晶向关系

W. RANKE, 邢益荣
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出版历程
  • 收稿日期:  1985-01-14
  • 刊出日期:  2005-07-14

氧在硅表面上吸附的晶向关系

  • 1. (1)Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft,Faradayweg 4-6,D-1000 Berlin 33,West Germany; (2)中国科学院半导体研究所

摘要: 利用AES和同步辐射光电子谱,在圆柱状的Si单晶样品上研究了氧表面吸附的晶向关系。结果表明:在350K曝氧2L时,总吸附量的晶向关系比较弱,并可利用台阶的增强吸附来解释;随着曝氧量的增加(~10L),氧原子首先从(111)面进入体内,从而支持Si(111)-(7×7)再构是属于“缺陷”类模型的结论。

English Abstract

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