搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

Au1-xNix合金(x=0.30-0.42)低温电阻率极小值的机理探讨

罗惠临 余梅 刘福绥

Au1-xNix合金(x=0.30-0.42)低温电阻率极小值的机理探讨

罗惠临, 余梅, 刘福绥
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2532
  • PDF下载量:  476
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1985-02-11
  • 刊出日期:  2005-07-14

Au1-xNix合金(x=0.30-0.42)低温电阻率极小值的机理探讨

  • 1. (1)Department of Electrical Engineering and Computer Sciences,University of California,San Diego,USA; (2)北京大学物理系

摘要: 为了解释Au1-xNix合金(x=0.30—0.42)低温出现电阻率极小值的实验结果,本文提出一个低浓度自旋集团顺磁态合金的模型,得到自旋集团孤立近似下和自旋集团耦合作用下的电阻率公式,并和晶格散射的贡献(由Au80Ni20合金或Au-Cu合金的ρi(T)实验数据代替)联合起来,得到ρ(T)的计算曲线,和实验结果符合得很好。当Tmin,电阻率随温度增高而下降,主要是自旋集团孤立近似下的Kondo效应引起的。自旋集团之间的RKKY耦合作用对电阻率的贡献在低温时大,随着温度增高按1/T规律迅速减小,所以ρ(T)-ρi(T)实验值在相当宽温度范围出现logT关系。随着温度增高,晶格散射对电阻率的贡献将变得重要,当T=Tmin,电阻率出现极小值。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回