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Pd-Si薄膜固相反应的透射电子显微镜研究

张京 刘安生 吴自勤 郭可信

Pd-Si薄膜固相反应的透射电子显微镜研究

张京, 刘安生, 吴自勤, 郭可信
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出版历程
  • 收稿日期:  1985-11-07
  • 刊出日期:  2005-07-14

Pd-Si薄膜固相反应的透射电子显微镜研究

  • 1. (1)北京有色金属研究总院; (2)中国科学技术大学基础物理中心; (3)中国科学院金属研究所

摘要: 本工作利用透射电子显微术研究了Pd-Si薄膜固相反应的初始生成相及生成相Pd2Si与(111)取向Si衬底的取向关系随Pd膜厚度、退火温度等因素的变化规律。实验结果表明:在衬底保持室温的条件下,Pd沉积到Si(111)上时也能够生成一层外延的Pd2Si,其厚度足以在常规的选区电子衍射中产生明显的信号。在170℃退火时,Pd-Si反应即可持续到生成200nm厚的外延的Pd2Si。在Pd膜厚度为400nm的条件下,Pd2Si与Si(111)衬底的取向关系为[0001](Pd2Si)轴织构。

English Abstract

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