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Si中D3d对称性态密度分布和缺陷对电子结构

顾一鸣 任尚元

Si中D3d对称性态密度分布和缺陷对电子结构

顾一鸣, 任尚元
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出版历程
  • 收稿日期:  1986-07-21
  • 刊出日期:  2005-03-18

Si中D3d对称性态密度分布和缺陷对电子结构

  • 1. 中国科学技术大学物理系
    基金项目: 

    中国科学院科学基金

摘要: 本文考虑了晶体中总的电子态密度在低对称性下用点群不可约表示基函数分解的问题,并给出了Si中用D3d群不可约表示基函数分解最近邻两原子总态密度的计算结果。结合在位势近似Koster-Slater格林函数方法,文中将计算结果用于Si中双空位和硫属元素杂质对(S20,Se20和Te20)缺陷态电子结构的讨论。讨论得到的结果是:与点缺陷和缺陷对的深缺陷态对称性相匹配的部分态密度的分布是相似的;在态密度对缺陷能级的驱赶作用下,S20等的As能级在As能级之上,双空位的Eg能级在Eu能级之上,这种情况与通常双原子分子成反键能级位置完全相反;所讨论的缺陷对的波函数在Bloch空间的分布情况与对应的点缺陷类似。

English Abstract

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