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硅中替位式和间隙式IB族杂质的电子态

吴汲安

硅中替位式和间隙式IB族杂质的电子态

吴汲安
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出版历程
  • 收稿日期:  1987-09-07
  • 刊出日期:  2005-07-06

硅中替位式和间隙式IB族杂质的电子态

  • 1. 中国科学院半导体研究所
    基金项目: 

    国家自然科学基金

摘要: 我们对硅中IB族杂质Cu,Ag和Au的单粒子电子结构用自洽的Xα-SW法作了计算。用集团XSi4Si′12和XSi10Si′16分别模拟替位式和四面体间隙式杂质X所局域微扰的硅晶体。这两类集团已广泛地得到采用,我们已经成功地用它研究硅中4d过渡金属杂质的性质。计算得到;替位杂质在带隙中导致一个t2能级,它几乎不具有d性质而是类悬挂键的。间隙杂质在带隙中导致一个a1能级,对于Si:Au,此能级位置接近导带底,轨道是非常离域的。此外,还得到一个位于价带底之下类s的超深能级。对硅中1B族杂质的电子性质的趋势作了详细讨论。

English Abstract

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