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磷分子离子(P2+)注入硅的损伤行为

方子韦 林成鲁 邹世昌

磷分子离子(P2+)注入硅的损伤行为

方子韦, 林成鲁, 邹世昌
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出版历程
  • 收稿日期:  1987-12-29
  • 刊出日期:  2005-07-06

磷分子离子(P2+)注入硅的损伤行为

  • 1. 中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室

摘要: 本文研究了不同能量(5—600keV)和不同剂量(1014-1016atom/cm2)下的P2+和P+注入〈100〉单晶硅后的损伤及退火行为。实验结果表明,P2+注入所产生的损伤总是大于P+注入所产生的损伤。由移位效率之比ND*(mol)/2ND*(atom)所表征的分子效应随入射能量的改变而变化并在100keV(P2+),50keV(P+)处达到极大值。P2+与P+注入的样品,退火后的载流子分布也有某些区别。我们认为,产生这些分子效应的基本原因是位移尖峰效应,但当入射离子的能量较高时,还应该考虑离子、靶原子之间的多体碰撞效应的贡献。

English Abstract

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