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交叉电场和磁场下GaAs/AIGaAs超晶格子带结构

范卫军 夏建白

交叉电场和磁场下GaAs/AIGaAs超晶格子带结构

范卫军, 夏建白
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出版历程
  • 收稿日期:  1989-11-27
  • 刊出日期:  2005-06-16

交叉电场和磁场下GaAs/AIGaAs超晶格子带结构

  • 1. 中国科学院半导体研究所,北京100083

摘要: 本文用有效质量理论计算了加平行磁场(方向平行于GaAs/AlGaAs界面)和垂直电场(方向垂直于界面)的超晶格子带结构和光跃迁。加平行磁场后,空穴子带的二重简并解除,轻重空穴混合。加电场后,产生Stark位移,电子和空穴能级发生一定位移。最后,讨论了磁光跃迁概率。

English Abstract

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