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1MeV Si+衬底加温注入Al0.3Ga0.7As/GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究

赵清太 王忠烈 李岱青 宫宝安 万亚 穆善明 朱沛然 周俊思 徐天冰

1MeV Si+衬底加温注入Al0.3Ga0.7As/GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究

赵清太, 王忠烈, 李岱青, 宫宝安, 万亚, 穆善明, 朱沛然, 周俊思, 徐天冰
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出版历程
  • 收稿日期:  1993-10-14
  • 刊出日期:  1994-08-20

1MeV Si+衬底加温注入Al0.3Ga0.7As/GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究

  • 1. (1)北京大学微电子研究所; (2)烟台师范学院物理系; (3)中国科学院半导体研究所; (4)中国科学院物理研究所离子束实验室
    基金项目: 

    山东省教育委员会科研处及北京中关村地区联合分析测试基金资助的课题.

摘要: 用卢瑟福背散射/沟道技术研究了1MeVSi+在衬底加温和室温下以不同剂量注入Al0.3G0.7As/GaAs超晶格和GaAs后的晶格损伤。在衬底加温下,观察到Al0.3Ga0.7As/GaAs超晶格和GaAs都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围,以及两种速率失去平衡的临界剂量。超晶格比GaAs更难以损伤,并且它的两种速率失去平衡的临界剂量也大于GaAs中的相应临界剂量,用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。用CNDO/2量子化学方法计算了GaAs和AlxGa1-xAs中化学键的相对强度,并根据计算结果解释了注入过程中Al0.3Ga0.7As/GaAs超晶格和GaAs中晶格损伤程度的差别。

English Abstract

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