搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

a-Si3N4纳米粒子的激光法制备及能级结构研究

李道火 王善忠

a-Si3N4纳米粒子的激光法制备及能级结构研究

李道火, 王善忠
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2509
  • PDF下载量:  642
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1993-05-31
  • 刊出日期:  1994-04-20

a-Si3N4纳米粒子的激光法制备及能级结构研究

  • 1. (1)中国科学技术大学结构分析开放实验室,合肥230026; (2)中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥230031
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划和中国科学院七五计划、八五计划重点攻关项目资助的课题.

摘要: 给出激光化学汽相沉积法制备a-Si3N4纳米粒子的原理和经验公式,在特定工艺参数下获得平均粒径为6.5nm的优质a-Si3N4纳米粒子,用紫外光谱研究其能级结构,发现与小粒子有关的峰状光谱结构和能带分裂现象,描述了a-Si3N4纳米粒子的物理结构图象,确认硅错键≡Si—Si≡,硅悬挂键≡Si30在富硅a-Si3

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回