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MoSi2表面电子结构

黄新堂 张海峰 李永平

MoSi2表面电子结构

黄新堂, 张海峰, 李永平
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出版历程
  • 收稿日期:  1993-04-26
  • 刊出日期:  1994-05-20

MoSi2表面电子结构

  • 1. (1)中国科学技术大学结构分析开放研究实验室,华中师范大学物理系; (2)中国科学技术大学结构分析开放研究实验室,中国科学技术大学材料科学与工程系; (3)中国科学技术大学结构分析开放研究实验室,中国科学技术大学物理系
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题.

摘要: 利用LMTO-ASA方法研究了C11b晶体结构的MoSi2三种(001)表面电子结构,分别给出了三种不同表面总体态密度和表面层原子局域态密度及分波态密度,与体结构相关原子态密度作了对比,并对费密能级上的态密度作了比较讨论。就表面稳定性而言,以Mo原子为表层原子的表面结构最不稳定,以单层si原子为表面的表面结构最稳定,该结论支持了T.Komeda等的实验结果[15]。

English Abstract

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