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MoSi_x多层薄膜电阻率温度系数及电子的弱局域性研究

王晓平 赵特秀 季航 梁齐 叶坚 刘磁辉 王顺喜

MoSi_x多层薄膜电阻率温度系数及电子的弱局域性研究

王晓平, 赵特秀, 季航, 梁齐, 叶坚, 刘磁辉, 王顺喜
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出版历程
  • 收稿日期:  1993-10-22
  • 刊出日期:  1995-02-20

MoSi_x多层薄膜电阻率温度系数及电子的弱局域性研究

  • 1. (1)中国科学技术大学物理系,合肥230026; (2)中国科学院等离子体物理研究所,合肥230031

摘要: 利用多层溅射技术制备了不同组分的MoSi_x薄膜,然后研究其平面电阻的退火行为,发现平面电阻随薄膜成分呈现不同的变化趋势;对典型的MoSi_2和MoSi(?)两种成分的薄膜进行了系统的电阻率温度特性研究,发现多层薄膜在晶化之前和处于小晶粒时电阻率温度系数(TCR)为负值,并认为它和无序体系中电子的弱局域性有关.

English Abstract

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