| [1] |
李俊炜, 王祖军, 石成英, 薛院院, 宁浩, 徐瑞, 焦仟丽, 贾同轩. GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池不同能量质子辐照损伤模拟. 物理学报,
2020, 69(9): 098802.
doi: 10.7498/aps.69.20191878
|
| [2] |
杨雯, 宋建军, 任远, 张鹤鸣. 光器件应用改性Ge的能带结构模型. 物理学报,
2018, 67(19): 198502.
doi: 10.7498/aps.67.20181155
|
| [3] |
齐佳红, 胡建民, 盛延辉, 吴宜勇, 徐建文, 王月媛, 杨晓明, 张子锐, 周扬. 电子辐照下GaAs/Ge太阳电池载流子输运机理研究. 物理学报,
2015, 64(10): 108802.
doi: 10.7498/aps.64.108802
|
| [4] |
岳龙, 吴宜勇, 张延清, 胡建民, 孙承月, 郝明明, 兰慕杰. 质子辐射损伤对单结GaAs/Ge太阳电池暗特性参数的影响. 物理学报,
2014, 63(18): 188101.
doi: 10.7498/aps.63.188101
|
| [5] |
吴宜勇, 岳龙, 胡建民, 蓝慕杰, 肖景东, 杨德庄, 何世禹, 张忠卫, 王训春, 钱勇, 陈鸣波. 位移损伤剂量法评估空间GaAs/Ge太阳电池辐照损伤过程. 物理学报,
2011, 60(9): 098110.
doi: 10.7498/aps.60.098110
|
| [6] |
赵慧杰, 何世禹, 孙彦铮, 孙强, 肖志斌, 吕伟, 黄才勇, 肖景东, 吴宜勇. 100 keV质子辐照对空间GaAs/Ge太阳电池光电效应的影响. 物理学报,
2009, 58(1): 404-410.
doi: 10.7498/aps.58.404
|
| [7] |
胡建民, 吴宜勇, 钱勇, 杨德庄, 何世禹. GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照损伤效应. 物理学报,
2009, 58(7): 5051-5056.
doi: 10.7498/aps.58.5051
|
| [8] |
宋迎新, 郑卫民, 刘静, 初宁宁, 李素梅. 量子限制效应对δ掺杂GaAs/AlAs多量子阱中铍受主态寿命的影响. 物理学报,
2009, 58(9): 6471-6476.
doi: 10.7498/aps.58.6471
|
| [9] |
李国辉, 周世平, 徐得名. GaAs/AlGaAs异质结动力学行为研究. 物理学报,
2001, 50(8): 1567-1573.
doi: 10.7498/aps.50.1567
|
| [10] |
陈张海, 胡灿明, 刘普霖, 史国良, 沈学础. GaAs/AlGaAs异质结中二维电子气子能带的Landau能级耦合. 物理学报,
1998, 47(3): 494-501.
doi: 10.7498/aps.47.494
|
| [11] |
班大雁, 方容川, 杨风源, 徐世宏, 徐彭寿, 袁诗鑫. Ge/ZnSe(100)异质结能带偏移的同步辐射光电子能谱研究. 物理学报,
1997, 46(3): 587-595.
doi: 10.7498/aps.46.587
|
| [12] |
. GaAs/AlAs超晶格的近共振喇曼散射研究. 物理学报,
1992, 41(4): 661-667.
doi: 10.7498/aps.41.661
|
| [13] |
张勇, 郑健生, 吴伯僖. GaP和GaAs1-xPx中N束缚激子压力行为的理论计算. 物理学报,
1991, 40(8): 1329-1338.
doi: 10.7498/aps.40.1329
|
| [14] |
王仁智, 黄美纯. (GaAs)1(AlAs)1(001)超晶格与闪锌矿结构Ga0.5Al0.5As合金虚晶能带的对应性. 物理学报,
1991, 40(6): 949-956.
doi: 10.7498/aps.40.949
|
| [15] |
王仁智, 黄美纯. GaAs和AlAs光学声子形变势的第一性原理研究. 物理学报,
1990, 39(2): 282-288.
doi: 10.7498/aps.39.282
|
| [16] |
吴春武, 殷士端, 张敬平, 肖光明, 刘家瑞, 朱沛然. InGaAs/GaAs应变异质结中的反常离子沟道效应. 物理学报,
1989, 38(1): 83-90.
doi: 10.7498/aps.38.83
|
| [17] |
顾一鸣, 黄明竹, 汪克林. 流体静压下AlAs合金化的GaAs中Cr2+(3d4)杂质态的理论研究. 物理学报,
1988, 37(2): 206-213.
doi: 10.7498/aps.37.206
|
| [18] |
史常忻, 忻尚衡, 吴鼎芬. AlGaAs/GaAs异质结中的平行电导效应. 物理学报,
1987, 36(3): 363-367.
doi: 10.7498/aps.36.363
|
| [19] |
薛舫时. GaAs,GaP和GaAsxP1-x合金能带的计算. 物理学报,
1986, 35(10): 1315-1321.
doi: 10.7498/aps.35.1315
|
| [20] |
张幼文, 郁启华. 用赝势微扰法计算某些半导体的能带结构(用于GaAs,GaP和Ga[As1-xPx]合金). 物理学报,
1965, 21(6): 1162-1169.
doi: 10.7498/aps.21.1162
|
下载:
