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经验赝势法在GaAs/Ge,AlAs/GaAs和AlAs/Ge异质结能带排列理论计算中的应用

郑永梅 王仁智 何国敏

经验赝势法在GaAs/Ge,AlAs/GaAs和AlAs/Ge异质结能带排列理论计算中的应用

郑永梅, 王仁智, 何国敏
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出版历程
  • 收稿日期:  1995-10-13
  • 修回日期:  1995-11-22
  • 刊出日期:  1996-09-20

经验赝势法在GaAs/Ge,AlAs/GaAs和AlAs/Ge异质结能带排列理论计算中的应用

  • 1. 厦门大学物理系
    基金项目: 

    国家自然科学基金及福建省自然科学基金资助的课题.

摘要: 在异质结能带排列的理论计算中,采用经验赝势能带计算方法,并将平均键能Em作为参考能级,计算了GaAs/Ge,AlAs/GaAs和AlAs/Ge三种异质结的整体能带结构和排序(包括价带、导带和带隙),获得完整且较准确的理论计算结果,其价带偏移ΔEv的计算值分别为0.57,0.50和1.07eV.

English Abstract

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