搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

InGaAs/GaAs应变异质结中的反常离子沟道效应

吴春武 殷士端 张敬平 肖光明 刘家瑞 朱沛然

InGaAs/GaAs应变异质结中的反常离子沟道效应

吴春武, 殷士端, 张敬平, 肖光明, 刘家瑞, 朱沛然
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  3105
  • PDF下载量:  566
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1988-04-22
  • 刊出日期:  2005-07-08

InGaAs/GaAs应变异质结中的反常离子沟道效应

  • 1. (1)中国科学院半导体研究所; (2)中国科学院物理研究所

摘要: 用5.8,3.0和1.2MeV的Li离子对用MBE制备的In0.25Ga0.75As/GaAs(100)异质结在(100)面中沿[100]及[110]轴进行角扫描。5.8MeV时,[110]轴外延层与衬底沟道对准角的差值为0.90°,从而计算出其晶格失配度为1.62%。3.0MeV时,背散射角扫描谱出现了严重的不对称现象。若离子以1.2MeV入射,沟道对准角的差值及衬底沟道的半角宽大大地偏离实际值。本文对以上反常现象从物理机理上进行了分析,给出了这些反常离子沟道

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回