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微波放电法生长GaS薄膜的性质

陈良尧 赵国庆 陈溪滢 曹先安 丁训民 侯晓远

微波放电法生长GaS薄膜的性质

陈良尧, 赵国庆, 陈溪滢, 曹先安, 丁训民, 侯晓远
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出版历程
  • 收稿日期:  1996-05-06
  • 刊出日期:  1997-04-20

微波放电法生长GaS薄膜的性质

  • 1. (1)复旦大学半导体物理实验室; (2)复旦大学物理二系; (3)复旦大学应用表面物理国家重点实验室
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题.

摘要: 报道了微波放电法在GaAs表面与Al金属片上生长GaS薄膜.用俄歇电子能谱(AES)和卢瑟福背散射能谱(RBS)分析了薄膜的成分,X射线衍射测试了薄膜的结构.结果表明,微波放电法生长的GaS薄膜是属于六方晶系的多晶材料.此外,用椭圆偏振光谱测定了GaS薄膜的折射率以及由金属/绝缘体/金属(MIM)结构的电容值得到GaS薄膜的介电常数

English Abstract

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