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As吸附在InP(110)表面电子性质的理论研究

王松有 郑卫民 钱栋梁 郑玉祥 陈良尧 贾 瑜 马丙现

As吸附在InP(110)表面电子性质的理论研究

王松有, 郑卫民, 钱栋梁, 郑玉祥, 陈良尧, 贾 瑜, 马丙现
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出版历程
  • 收稿日期:  1997-12-22
  • 修回日期:  1998-03-23
  • 刊出日期:  1998-10-20

As吸附在InP(110)表面电子性质的理论研究

  • 1. (1)复旦大学物理系,上海 200433; (2)郑州大学物理工程学院,郑州 450052

摘要: 利用形式散射的格林函数方法,研究了As在InP(110)表面不同吸附结构的电子性质.体材料采用实用的经验紧束缚近似方法的哈密顿,分别计算了As-P交换作用和形成外延连续层结构表面态的性质,指出了表面态和表面共振态产生的原因.在计算中,一些表面紧束缚相互作用参数进行了调整,所得结果好于其他理论方法.

English Abstract

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