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ZnSe/GaAs(100)界面电子结构的计算

杨仕娥 马丙现 贾 瑜 申三国 范希庆

ZnSe/GaAs(100)界面电子结构的计算

杨仕娥, 马丙现, 贾 瑜, 申三国, 范希庆
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出版历程
  • 收稿日期:  1997-12-22
  • 修回日期:  1998-02-23
  • 刊出日期:  1998-10-20

ZnSe/GaAs(100)界面电子结构的计算

  • 1. 郑州大学材料物理重点实验室,郑州 450052
    基金项目: 

    河南省自然科学基金资助的课题.

摘要: 利用形式散射理论的格林函数方法,采用紧束缚最近邻近似下的sp3s模型,计算了ZnSe/GaAs(100)两类界面(Se/Ga和As/Zn界面)的电子结构.分别给出了两类界面的界面带结构和波矢分辨的层态密度及其分波态密度.计算结构表明,在ZnSe/GaAs(100)两类界面的禁带隙中均无界面态,而在其价带区均存在三条束缚的界面带和四条半共振带;通过比较,分析了两类界面的界面态特征及其来源.

English Abstract

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