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p型α-多孔SiC的光致发光光谱研究

李纪焕 金英猷 杜英磊 吴柏枚

p型α-多孔SiC的光致发光光谱研究

李纪焕, 金英猷, 杜英磊, 吴柏枚
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出版历程
  • 收稿日期:  1997-12-02
  • 修回日期:  1998-04-06
  • 刊出日期:  1998-10-20

p型α-多孔SiC的光致发光光谱研究

  • 1. (1)Department of Chemistry,Kongju National University,Kongju 314-701,Korea; (2)Department of Physics,Kongju National University,Kongju 314-701,Korea; (3)中国科学技术大学基础物理中心,合肥 230026;Department of Chemistry,Kongju National University,Kongju 314-701,Korea; (4)中国科学技术大学物理系,合肥 230026

摘要: 用UV光照射和不用UV条件下形成的p型α-PSC的PL光谱,2.35eV,2.50eV和2.70eV及3.4eV附近的发射峰已被观察到.研究了不同的制备条件下形成的p型α-PSC的PL谱的稳定性和不同的能量的光激发引起PL谱的差别.结果表明,在电化学腐蚀过程中制备条件对PSC的PL谱有很大的影响,前者在低能区有较强的光发射而后者则在高能区有较强的光发射;前者的光谱稳定性较好而后者发射光谱强度则随时间的增加而减少.对产生这些差别的原因进行了深入讨论.

English Abstract

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