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B+注入HgCdTe快速热退火的研究

应明炯 刘家璐 张廷庆 冯建华 周冠山

B+注入HgCdTe快速热退火的研究

应明炯, 刘家璐, 张廷庆, 冯建华, 周冠山
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出版历程
  • 收稿日期:  1997-05-04
  • 刊出日期:  1998-01-20

B+注入HgCdTe快速热退火的研究

  • 1. (1)电子工业部第11研究所,北京 100015; (2)西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071

摘要: 借助二次离子质谱和俄歇电子能谱对B+注入HgCdTe有无ZnS膜包封在快速热退火条件下表层的Hg损失进行了深入的分析-快速热退火温度为300,350和400℃,退火时间为10s-ZnS膜厚度为160nm-结果表明,300℃,10s快速热退火后,有ZnS膜包封的HgCdTe表层没有Hg损失-对B+注入HgCdTe N+-P结快速热退火工艺流程进行了优化-结果表明,快速热退火放在光刻金属电极之后进行,可以改善结的特性-

English Abstract

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