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Ti薄膜与AlN陶瓷的界面反应

王佑祥 岳瑞峰 陈春华

Ti薄膜与AlN陶瓷的界面反应

王佑祥, 岳瑞峰, 陈春华
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出版历程
  • 收稿日期:  1997-05-07
  • 刊出日期:  1998-01-20

Ti薄膜与AlN陶瓷的界面反应

  • 1. 中国科学院半导体研究所,北京 100083;中国科学院表面物理国家重点实验室,北京 100080
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题-

摘要: 用X射线衍射分析、二次离子质谱、卢瑟福背散射谱、俄歇电子能谱等表面分析技术,研究了Ti膜与AlN陶瓷衬底的界面固相反应-在高真空中用电子束蒸发的方法在抛光的200℃ AlN陶瓷衬底上淀积200nm的Ti膜,并在真空恒温炉中退火-实验表明,退火中Ti膜与AlN界面发生了扩散与反应-650℃,1h退火已观测到明显的界面反应-界面反应产物主要是钛铝化物及Ti-N化合物-铝化物是Ti-Al二元化合物和Ti-Al-N三元化合物,850℃,4h退火后则主要由Ti2AlN组成-

English Abstract

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