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K3C60在200K附近的取向相变机理

徐亚伯 李海洋 陈晓 李宏年 鲍世宁 吴太权 钱海杰 易·奎热西 刘风琴

K3C60在200K附近的取向相变机理

徐亚伯, 李海洋, 陈晓, 李宏年, 鲍世宁, 吴太权, 钱海杰, 易·奎热西, 刘风琴
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-05-08
  • 刊出日期:  2001-12-20

K3C60在200K附近的取向相变机理

  • 1. (1)浙江大学物理系,杭州310027; (2)浙江大学物理系,杭州310027,浙江大学微系统研究中心,杭州310027; (3)中国科学院高能物理研究所国家同步辐射实验室,北京100039
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10074053)

    浙江省自然科学基金(批准号:100019)

    浙江省教育厅资助的课题.

摘要: 研究了K3C60单晶薄膜在200K附近的导带结构.样品温度为190K时,同步辐射角分辨光电子谱能够观察到[111]方向有规律的能带色散.而在220K附近色散不存在.这一实验结果与K3C60在200K存在取向相变相符合.用反铁磁Ising模型对实验结果进行了分析.结果表明,K3C60在200K的相变是由低温下的一维无序取向结构转变为200K以上的双取向结构畴与无序分子(约占40

English Abstract

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