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Au/PZT/BIT/p-Si异质结的制备与性能研究

王华 于军 董小敏 王耘波 周文利 赵建洪 周东祥

Au/PZT/BIT/p-Si异质结的制备与性能研究

王华, 于军, 董小敏, 王耘波, 周文利, 赵建洪, 周东祥
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  • 采用脉冲激光沉积(PLD)工艺,制备了以Bi4Ti3O12(BIT)为过渡阻挡层的Au/PZT/BIT/p-Si异质结.研究了BIT铁电层对Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜晶相结构、铁电及介电性能的影响,对Au/PZT/BIT/p-Si异质结的导电机制进行了讨论.氧气氛530℃淀积的PZT为多晶铁电薄膜,与直接淀积在Si基片上相比,加入BIT铁电层后PZT铁
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:69771024)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2000-05-01
  • 修回日期:  2000-12-13
  • 刊出日期:  2001-05-20

Au/PZT/BIT/p-Si异质结的制备与性能研究

  • 1. (1)华中科技大学电子科学与技术系,武汉430074; (2)华中科技大学电子科学与技术系,武汉430074;桂林电子工业学院电子信息分院,桂林541004
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:69771024)资助的课题.

摘要: 采用脉冲激光沉积(PLD)工艺,制备了以Bi4Ti3O12(BIT)为过渡阻挡层的Au/PZT/BIT/p-Si异质结.研究了BIT铁电层对Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜晶相结构、铁电及介电性能的影响,对Au/PZT/BIT/p-Si异质结的导电机制进行了讨论.氧气氛530℃淀积的PZT为多晶铁电薄膜,与直接淀积在Si基片上相比,加入BIT铁电层后PZT铁

English Abstract

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