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薄栅氧化层中陷阱电荷密度的测量方法

刘红侠 郑雪峰 郝跃

薄栅氧化层中陷阱电荷密度的测量方法

刘红侠, 郑雪峰, 郝跃
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-06-19
  • 修回日期:  2001-07-26
  • 刊出日期:  2005-04-11

薄栅氧化层中陷阱电荷密度的测量方法

  • 1. 西安电子科技大学微电子研究所,西安710071
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划 (批准号 :863 SOC Y 3 6 1)资助的课题

摘要: 提出了一种测量陷阱电荷密度的实验方法,该方法根据电荷陷落的动态平衡方程,利用恒流应力前后MOS电容高频CV曲线结合恒流应力下栅电压的变化曲线求解陷阱电荷密度及位置等物理量.给出了陷阱电荷密度的解析表达式和相关参数的提取方法和结果.实验表明这种方法方便而且具有较高的精度

English Abstract

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