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对碳纳米管阵列的场发射电场增强因子以及最佳阵列密度的研究

王万录 廖克俊 朱亚波

对碳纳米管阵列的场发射电场增强因子以及最佳阵列密度的研究

王万录, 廖克俊, 朱亚波
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-11-10
  • 修回日期:  2002-01-20
  • 刊出日期:  2002-05-05

对碳纳米管阵列的场发射电场增强因子以及最佳阵列密度的研究

  • 1. (1)重庆大学数理学院应用物理系,重庆400044; (2)重庆大学数理学院应用物理系,重庆400044,徐州师范大学物理系,徐州221009
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号 :5 0 0 0 5 0 2 7)资助课题~~

摘要: 研究了外电场、碳纳米管自身线度、尤其管的阵列密度对碳纳米管的场发射性能的影响,从理论上深入探索碳纳米管阵列的电场增强因子并提出改善其场发射电子性能的有效途径.研究结果表明,碳纳米管阵列的电场增强因子的数量级一般为102—103,并对任何长径比的碳纳米管阵列,都对应着一个最佳阵列密度,当碳纳米管阵列密度取此最佳密度值时,其电场增强因子明显提高.这里的理论研究对弄清碳纳米管的场发射机理及实验合成高发射性能的碳纳米管阵列有一定的意义

English Abstract

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