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近程碰撞对He+离子诱发背向电子发射贡献比例的计算

卢其亮 赵国庆 周筑颖

近程碰撞对He+离子诱发背向电子发射贡献比例的计算

卢其亮, 赵国庆, 周筑颖
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-07-09
  • 修回日期:  2002-10-14
  • 刊出日期:  2003-05-20

近程碰撞对He+离子诱发背向电子发射贡献比例的计算

  • 1. 复旦大学现代物理所应用离子束物理实验室,上海 200433

摘要: 用MonteCarlo方法模拟了高速He+离子入射到C,Cu和Al固体表面所诱发的电子发射.用这个程序计算了背向的电子发射产额,并且同时计算了近程碰撞对总的背向电子发射产额的贡献比例,对C,Cu和Al其值分别是05,055和0.42.对在近程碰撞中产生的高能δ电子(E>10O eV)对背向电子发射行为的影响也进行了详尽地讨论,只有那些能量为几百个eV的δ电子对产额的贡献比例较大.对于C靶,δ电子对电子阻止本领最大值附近的二次电子发射行为会产生影响.计算所得到的电子发射产额与实验结果符合得很好.

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