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AlxGa1-xN/GaN异质结构中Al组分对二维电子气性质的影响

孔月婵 郑有炓 储荣明 顾书林

AlxGa1-xN/GaN异质结构中Al组分对二维电子气性质的影响

孔月婵, 郑有炓, 储荣明, 顾书林
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  • 通过用数值计算方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程,研究了Al组分对AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气性质的影响,给出了AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气分布和面密度,导带能带偏移以及子带中电子分布随AlxGa 1-xN势垒层中Al组分的变化关系,并用AlxGa1-xN/GaN 异质结构自发极化与压电极化机理和能
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60136020)和国家重点基础研究专项基金(批准号:G20000683) 资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-08-12
  • 修回日期:  2002-10-14
  • 刊出日期:  2003-07-20

AlxGa1-xN/GaN异质结构中Al组分对二维电子气性质的影响

  • 1. 南京大学物理系,南京 210093
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60136020)和国家重点基础研究专项基金(批准号:G20000683) 资助的课题.

摘要: 通过用数值计算方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程,研究了Al组分对AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气性质的影响,给出了AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气分布和面密度,导带能带偏移以及子带中电子分布随AlxGa 1-xN势垒层中Al组分的变化关系,并用AlxGa1-xN/GaN 异质结构自发极化与压电极化机理和能

English Abstract

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