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外磁场对(Ga,Mn)As有效g因子的影响

周 蓉 孙宝权 阮学忠 甘华东 姬 扬 王玮竹 赵建华

外磁场对(Ga,Mn)As有效g因子的影响

周 蓉, 孙宝权, 阮学忠, 甘华东, 姬 扬, 王玮竹, 赵建华
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-11-28
  • 修回日期:  2008-04-22
  • 刊出日期:  2008-04-05

外磁场对(Ga,Mn)As有效g因子的影响

  • 1. 中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京 100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10334030,60676054)资助的课题.

摘要: 利用时间分辨Kerr旋光技术测量低温下稀磁半导体Ga0.937Mn0.063As中光注入极化载流子的自旋进动信号,并观察到自旋极化载流子的有效g因子值随外磁场的增强而增大的反常现象.这归结于磁场导致局域化空穴转化为非局域化空穴,从而使自发磁化强度增强,有效g因子值增大.基于此物理图像,进一步给出了(Ga,Mn)As的有效g因子与外磁场的关系式.

English Abstract

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