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Si纳米线的固-液-固可控生长及其形成机理分析

彭英才 范志东 白振华 马蕾

Si纳米线的固-液-固可控生长及其形成机理分析

彭英才, 范志东, 白振华, 马蕾
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  • 以Au膜作为金属催化剂,直接从n-(111)Si单晶衬底上制备了直径为30—60 nm和长度从几微米到几十微米的高质量Si纳米线.实验研究了Au膜层厚、退火温度、N2气流量和生长时间对Si纳米线形成的影响.结果表明,通过合理选择和优化组合上述各种工艺条件,可以实现直径、长度、形状和取向可控的纳米线生长.基于固-液-固生长机理,定性阐述了Si纳米线的形成过程.
    • 基金项目: 河北省自然科学基金(批准号:E2008000626)和中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室基金(批准号:KLSMS05-03)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-02-25
  • 修回日期:  2009-06-08
  • 刊出日期:  2010-01-05

Si纳米线的固-液-固可控生长及其形成机理分析

  • 1. (1)河北大学电子信息工程学院,保定 071002; (2)河北大学电子信息工程学院,保定 071002;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京 100083
    基金项目: 

    河北省自然科学基金(批准号:E2008000626)和中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室基金(批准号:KLSMS05-03)资助的课题.

摘要: 以Au膜作为金属催化剂,直接从n-(111)Si单晶衬底上制备了直径为30—60 nm和长度从几微米到几十微米的高质量Si纳米线.实验研究了Au膜层厚、退火温度、N2气流量和生长时间对Si纳米线形成的影响.结果表明,通过合理选择和优化组合上述各种工艺条件,可以实现直径、长度、形状和取向可控的纳米线生长.基于固-液-固生长机理,定性阐述了Si纳米线的形成过程.

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