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低工作电压聚噻吩薄膜晶体管

刘玉荣 陈伟 廖荣

低工作电压聚噻吩薄膜晶体管

刘玉荣, 陈伟, 廖荣
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  • 以高掺杂Si单晶片作为衬底且充当栅电极,采用磁控溅射法在硅片上沉积HfTiO薄膜作为栅介质层,聚三己基噻吩(P3HT)薄膜作为半导体活性层,金属Au作为源、漏电极,并采用十八烷基三氯硅烷(OTS)对栅介质层表面修饰,在空气环境下成功地制备出聚合物薄膜晶体管(PTFT).PTFT器件测试结果表明,该晶体管在低的驱动电压(-2 cm2/V ·s.通过对金属-聚合物-氧化物
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:845106410100257),广东省自然科学基金(批准号:8451064101000257)资助的课题.
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    Ryu G S,Choe K B,Song C K 2006 Thin Solid Films 514 302

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    Kim J M,Lee J W,Kim J K,Ju B K,Kim J S,Lee Y H,Oh M H 2004 Appl. Phys. Lett. 85 6368

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    Bartic C,Jansen H,Campitelli A,Borghs S 2002 Org. Electron. 3 65

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    Wang G M,Moses D,Heeger A J 2004 J. Appl. Phys. 95 316

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    Majewski L A,Schroeder R,Grell M,Glarvey P A,Turner M L 2004 J. Appl. Phys. 96 5781

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    Raval H N,Tiwari S P,Navan R R,Mhaisalkar,Rao V R 2009 IEEE Electron Device Lett. 30 484

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    Nicollian E H,Brews J R 1982 MOS (Metal Oxide Semicon-ductor) Physics and Technology (New York:John Wiley and Sons,Inc.) p223

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    Schroder D K 1998 Semiconductor Material and Device Character-ization,2nd Edition (New York:John Wiley and Sons,Inc.) p376

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    Schroder D K 1998 Semiconductor Material and Device Character-ization,2nd Edition (New York:John Wiley and Sons,Inc.) p376

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出版历程
  • 收稿日期:  2010-01-18
  • 修回日期:  2010-02-22
  • 刊出日期:  2010-11-15

低工作电压聚噻吩薄膜晶体管

  • 1. 华南理工大学电子与信息学院,广州 510640
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:845106410100257),广东省自然科学基金(批准号:8451064101000257)资助的课题.

摘要: 以高掺杂Si单晶片作为衬底且充当栅电极,采用磁控溅射法在硅片上沉积HfTiO薄膜作为栅介质层,聚三己基噻吩(P3HT)薄膜作为半导体活性层,金属Au作为源、漏电极,并采用十八烷基三氯硅烷(OTS)对栅介质层表面修饰,在空气环境下成功地制备出聚合物薄膜晶体管(PTFT).PTFT器件测试结果表明,该晶体管在低的驱动电压(-2 cm2/V ·s.通过对金属-聚合物-氧化物

English Abstract

参考文献 (18)

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