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Voigt位型下电介质/反铁磁/电介质结构二次谐波生成非倒易性研究

周胜 王选章 付淑芳 励强华 曲秀荣 梁爽 张强

Voigt位型下电介质/反铁磁/电介质结构二次谐波生成非倒易性研究

周胜, 王选章, 付淑芳, 励强华, 曲秀荣, 梁爽, 张强
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  • 利用非线性传递矩阵方法研究了Voigt位型下电介质/反铁磁/电介质 结构二次谐波生成的非倒易性. 研究发现外加静磁场反向和电介质层排序翻转均对二次谐波输出产生影响, 出现了二次谐波生成的非倒易性. 二次谐波生成非倒易性频率区域在反铁磁共振区, 此区间正处于THz频段. 随着入射角度的增加, 非倒易性的效果越来越明显. 研究二次谐波生成的非倒易性, 可为反铁磁器件的设计加工提供理论支持.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 11074061, 11104050); 黑龙江省自然科学基金(批准号: A200910); 黑龙江省教育厅青年学术骨干项目(批准号: 1251G030); 哈尔滨师范大学省级预研项目(批准号: 09XYS-01); 哈尔滨市青年科技创新人才项目(批准号: RC2011QN001011);哈尔滨师范大学博士科研启动基金(批准号: KJB201113)和黑龙江教育厅科技项目(批准号: 12521154)资助的课题.
    [1]

    Jensen M R F, Parker T J, Abraha K, Tilley D R 1995 Phys. Rev. Lett. 76 3756

    [2]

    Dumelow T, Camley R E 1996 Phys. Rev. B 54 12232

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    Orenstein J 2011 Phys. Rev. Lett. 107 067002

    [4]

    Pelle B, Bitard H, Bailly G, Robilliard C 2011 Phys. Rev. Lett. 106 193003

    [5]

    Tobias R, Hudspeth A J 2011 Phys. Rev. Lett. 106 158701

    [6]

    Li X F, Ni X, Feng L, Lu M H 2011 Phys. Rev. Lett. 106 084301

    [7]

    Zhao Y T, Zhang Q, Bai J, Fu S F, Zhou S 2011 Acta Phys. Sin. 60 077503 (in Chinese) [赵玉田, 张强, 白晶, 付淑芳, 周胜 2011 物理学报 60 077503]

    [8]

    Zhao Y, Gao H, Zhou S, Wang X Z 2008 J. Magn. Magn. Mater. 320 2696

    [9]

    Yang X B 2000 Acta Phys. Sin. 49 1185 (in Chinese) [杨湘波 2000 物理学报 49 1185]

    [10]

    Liao L G, Fu H, Fu X J 2009 Acta Phys. Sin. 58 7088 (in Chinese) [廖龙光, 付虹, 傅秀军 2009 物理学报 58 7088]

    [11]

    Bai J, Zhou S, Liu F L, Wang X Z 2007 J. Phys: Condens. Matter 19 046217

    [12]

    Fiebig M, Fröhlich D, Krichevtsov B B, Pisarev R V 1994 Phys. Rev. Lett. 73 2127

    [13]

    Lim S C 2002 J. Opt. Soc. Am. B 19 1401

    [14]

    Lim S C 2006 J. Phys.: Condens. Matter 18 4329

    [15]

    Zhou S, Wang X Z 2008 J. Opt. Soc. Am. B 25 1639

    [16]

    Zhou S, Li H, Fu S F, Wang X Z 2009 Phys. Rev. B 80 205409

    [17]

    Nyvlt M, Bisio F, Kirschner J 2008 Phys. Rev. B 77 014435

    [18]

    Ney O, Trzeciecki M, Hubner W 2005 J. Phys.: Condens. Matter 17 7489

    [19]

    Kamsul, Abraha, Tilley D R 1996 Surf. Sci. Rep. 24 125

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出版历程
  • 收稿日期:  2011-12-27
  • 修回日期:  2012-03-09
  • 刊出日期:  2012-09-05

Voigt位型下电介质/反铁磁/电介质结构二次谐波生成非倒易性研究

  • 1. 哈尔滨师范大学物理与电子工程学院光电带隙材料省部共建教育部重点实验室, 哈尔滨 150025;
  • 2. 南京大学物理学院物理系, 南京 210093
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 11074061, 11104050)

    黑龙江省自然科学基金(批准号: A200910)

    黑龙江省教育厅青年学术骨干项目(批准号: 1251G030)

    哈尔滨师范大学省级预研项目(批准号: 09XYS-01)

    哈尔滨市青年科技创新人才项目(批准号: RC2011QN001011)

    哈尔滨师范大学博士科研启动基金(批准号: KJB201113)和黑龙江教育厅科技项目(批准号: 12521154)资助的课题.

摘要: 利用非线性传递矩阵方法研究了Voigt位型下电介质/反铁磁/电介质 结构二次谐波生成的非倒易性. 研究发现外加静磁场反向和电介质层排序翻转均对二次谐波输出产生影响, 出现了二次谐波生成的非倒易性. 二次谐波生成非倒易性频率区域在反铁磁共振区, 此区间正处于THz频段. 随着入射角度的增加, 非倒易性的效果越来越明显. 研究二次谐波生成的非倒易性, 可为反铁磁器件的设计加工提供理论支持.

English Abstract

参考文献 (19)

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