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具有新型双空穴注入层的有机发光二极管

刘佰全 兰林锋 邹建华 彭俊彪

具有新型双空穴注入层的有机发光二极管

刘佰全, 兰林锋, 邹建华, 彭俊彪
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  • 采用新型双空穴注入层N, N, N', N'-tetrakis(4-Methoxy-phenyl)benzidine/Copper phthalocyanine(MeO-TPD/CuPc)及器件结构:ITO/MeO-TPD(15 nm)/CuPc(15 nm)/ N, N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N, N'-bis(phenyl)benzidine (NPB, 15 nm)/8-hydroxyquinoline (Alq3, 50 nm)/LiF(1 nm)/Al(120 nm), 研制出高效有机发光二极管(器件D), 与其他器件(器件A, 没有空穴注入层的器件; 器件B, MeO-TPD单空穴注入层; 器件C, CuPc单空穴注入层)相比, 其性能得到明显改善. 器件D的起亮电压降至3.2 V, 比器件A, B, C的起亮电压分别降低了2, 0.3, 0.1 V. 器件D在10 V时, 其最大亮度为23893 cd/m2, 最大功率效率为1.91 lm/W, 与器件A, B, C的最大功率效率相比, 分别提高了43% (1.34 lm/W), 22% (1.57 lm/W), 7% (1.79 lm/W). 性能改善的主要原因是由于空穴注入和传输性能得到了改善, 通过单空穴型器件的J-V 曲线对这一现象进行了分析.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(批准号:2009CB623604)、国家自然科学基金(批准号:61204087, 51173049, U0634003, 61036007, 60937001)和中央高校基本科研业务费 (批准号:2011ZB0002, 2011ZM0009)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-11-30
  • 修回日期:  2012-12-17
  • 刊出日期:  2013-04-05

具有新型双空穴注入层的有机发光二极管

  • 1. 华南理工大学高分子光电材料与器件研究所, 广州 510640;
  • 2. 发光材料与器件国家重点实验室, 广州 510640
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2009CB623604)、国家自然科学基金(批准号:61204087, 51173049, U0634003, 61036007, 60937001)和中央高校基本科研业务费 (批准号:2011ZB0002, 2011ZM0009)资助的课题.

摘要: 采用新型双空穴注入层N, N, N', N'-tetrakis(4-Methoxy-phenyl)benzidine/Copper phthalocyanine(MeO-TPD/CuPc)及器件结构:ITO/MeO-TPD(15 nm)/CuPc(15 nm)/ N, N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N, N'-bis(phenyl)benzidine (NPB, 15 nm)/8-hydroxyquinoline (Alq3, 50 nm)/LiF(1 nm)/Al(120 nm), 研制出高效有机发光二极管(器件D), 与其他器件(器件A, 没有空穴注入层的器件; 器件B, MeO-TPD单空穴注入层; 器件C, CuPc单空穴注入层)相比, 其性能得到明显改善. 器件D的起亮电压降至3.2 V, 比器件A, B, C的起亮电压分别降低了2, 0.3, 0.1 V. 器件D在10 V时, 其最大亮度为23893 cd/m2, 最大功率效率为1.91 lm/W, 与器件A, B, C的最大功率效率相比, 分别提高了43% (1.34 lm/W), 22% (1.57 lm/W), 7% (1.79 lm/W). 性能改善的主要原因是由于空穴注入和传输性能得到了改善, 通过单空穴型器件的J-V 曲线对这一现象进行了分析.

English Abstract

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