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本文利用金属有机气相沉积法(MOCVD)生长单一立方相Mg0.57Zn0.43O (记作立方MZO)合金薄膜, 以及该合金薄膜在后期热处理过程中质量和热稳定性的关系. 通过X射线衍射等测试发现, 后期热处理对于立方MZO合金薄膜质量具有较大的影响. 其中在500850℃的条件下, 合金薄膜的结晶质量和表面形貌随温度的增加得到明显的改善, 吸收截止边逐渐蓝移,带隙展宽, 但仍保持单一立方结构. 当温度达到950℃时立方MZO合金薄膜出现混合相. 通过对立方MZO合金薄膜制备的MSM型单元器件进行光响应的测试表明, 在外加15 V的偏压下, 器件的响应峰值在260 nm附近,紫外/可见抑制比大约为4个数量级, 饱和响应度为3.8 mA/W, 暗电流值为5 pA左右.
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关键词:
- MOCVD /
- Mg0.57Zn0.43O /
- 热处理 /
- 光响应
[1] Yang W, Hullavarad S S, Nagaraj B, Takeuchi I, Sharma R P, Venkatesan T 2003 Appl. Phys. Lett. 82 3424
[2] Choopun S, Vispute R D, Yang W, Sharma R P, Venkatesan T 2002 Appl. Phys. Lett. 80 1529
[3] Park W I, Yi Y C, Jang H M 2001 Appl. Phys. Lett. 79 2022
[4] Minemoto T, Negami T, Nishiwaki S, Takakura H, Hamakawa Y 2000 Thin. Solid. Films. 32 173
[5] Chen J, Shen W Z, Chen N B, Qiu D J, Wu H Z 2003 J. Phys. C 15 475
[6] Ohtomo A, Kawasaki M, Koida T, Masubuchi K, Koinuma H 1999 Appl. Phys. Lett. 75 980
[7] Xin P, Sun C W, Qin F W, Wen S P, Zhang Q Y 2007 Acta Phys. Sin. 56 1082 (in Chinese) [辛萍, 孙成伟, 秦福文, 文胜平, 张庆瑜 2007 物理学报 56 1082]
[8] Sharma A K, Narayan J, Muth J F, Teng C W, Jin C, Kvit A, Kolbas R M, Holland O W 1999 Appl. Phys. Lett. 53 327
[9] Lin B X, Fu Z X, Jia Y B, Liao G H 2001 Acta Phys. Sin. 50 2208 (in Chinese) [林碧霞, 傅竹西, 贾云波, 廖桂红 2001 物理学报 50 2208]
[10] Qin J M, Wang H, Zeng F M, Li J L, Wan Y C, Liu J H 2010 Acta Phys. Sin. 59 8910 (in Chinese) [秦杰明, 王皓, 曾繁明, 李建利, 万玉春, 刘景和 2010 物理学报 59 8910]
[11] Choopun S, Vispute R D, Yan W, Sharma R P, Venkatesan T, Shen H 2002 Appl. Phys. Lett. 80 1529
[12] Ju Z G, Shan C X, Yang C L, Zhang J Y, Yao B, Zhao D X, Shen D Z 2009 Appl. Phys. Lett. 94 101902
[13] Bendersky L A, Takeuchi I, Chang K S, Yang W, Hullavarad S, Vispute R D 2005 J. Appl. Phys. 98 083526
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[1] Yang W, Hullavarad S S, Nagaraj B, Takeuchi I, Sharma R P, Venkatesan T 2003 Appl. Phys. Lett. 82 3424
[2] Choopun S, Vispute R D, Yang W, Sharma R P, Venkatesan T 2002 Appl. Phys. Lett. 80 1529
[3] Park W I, Yi Y C, Jang H M 2001 Appl. Phys. Lett. 79 2022
[4] Minemoto T, Negami T, Nishiwaki S, Takakura H, Hamakawa Y 2000 Thin. Solid. Films. 32 173
[5] Chen J, Shen W Z, Chen N B, Qiu D J, Wu H Z 2003 J. Phys. C 15 475
[6] Ohtomo A, Kawasaki M, Koida T, Masubuchi K, Koinuma H 1999 Appl. Phys. Lett. 75 980
[7] Xin P, Sun C W, Qin F W, Wen S P, Zhang Q Y 2007 Acta Phys. Sin. 56 1082 (in Chinese) [辛萍, 孙成伟, 秦福文, 文胜平, 张庆瑜 2007 物理学报 56 1082]
[8] Sharma A K, Narayan J, Muth J F, Teng C W, Jin C, Kvit A, Kolbas R M, Holland O W 1999 Appl. Phys. Lett. 53 327
[9] Lin B X, Fu Z X, Jia Y B, Liao G H 2001 Acta Phys. Sin. 50 2208 (in Chinese) [林碧霞, 傅竹西, 贾云波, 廖桂红 2001 物理学报 50 2208]
[10] Qin J M, Wang H, Zeng F M, Li J L, Wan Y C, Liu J H 2010 Acta Phys. Sin. 59 8910 (in Chinese) [秦杰明, 王皓, 曾繁明, 李建利, 万玉春, 刘景和 2010 物理学报 59 8910]
[11] Choopun S, Vispute R D, Yan W, Sharma R P, Venkatesan T, Shen H 2002 Appl. Phys. Lett. 80 1529
[12] Ju Z G, Shan C X, Yang C L, Zhang J Y, Yao B, Zhao D X, Shen D Z 2009 Appl. Phys. Lett. 94 101902
[13] Bendersky L A, Takeuchi I, Chang K S, Yang W, Hullavarad S, Vispute R D 2005 J. Appl. Phys. 98 083526
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